31.020 电子元器件综合 标准查询与下载



共找到 1123 条与 电子元器件综合 相关的标准,共 75

Method of model designation for the electronic computer peripheral equipment

ICS
31.020
CCS
L63
发布
1990-06-06
实施
1991-03-01

本标准规定了观测人造石英晶体的位错、划痕、层错、孪晶、沉淀物和生长条纹等缺陷和估算其位错密度的X射线衍射形貌方法。 本标准适用于人造石英晶体及天然石英晶体位错密度等缺陷的检测。

Method for detecting dislocations of synthetic quartz using X-ray topographic technique

ICS
31.020
CCS
L32
发布
1989-03-31
实施
1990-03-01

本标准规定了人造压电石英晶体中杂质的原子发射光谱及原子吸收分光光度的分析方法。 本标准适用于人造压电石英晶体中铝、铁、钙、镁、镍、铬、锂、钠、钾杂质元素含量的分析。

Analytical method for impurities in the synthetic quartz crystal

ICS
31.020
CCS
L32
发布
1989-03-31
实施
1990-03-01

本标准规定了用波长为632.8nm的光波,沿铌酸锂、磷酸二氢钾和磷酸二氘钾晶体光轴方向消光比的测量方法。 本方法适用于测量100000:1的消光比。

Test method for extinction ratio of LN,kDP and kD*P electrooptic crystal

ICS
31.020
CCS
L32
发布
1989-03-31
实施
1990-01-01

本标准适用于热释电材料低频介电常数的测量。

Test method for the dielectric constant of pyroelectric materials

ICS
31.020
CCS
L32
发布
1989-03-31
实施
1990-01-01

本标准适用于测试钽酸锂和三甘氨酸硫酸盐族热释电晶体材料的居里温度Tc,也适用于测试其它类似晶体材料的居里温度。

Test method for Curie temperature of pyroelectric materials

ICS
31.020
CCS
L32
发布
1989-03-31
实施
1990-01-01

本标准适用于波长为632.8nm的光波能透过的所有激光晶体棒。测量平面波前透过激光棒后,波前畸变的最大峰-谷值偏差,用以检测棒折射率的不均匀性。被测量波前畸变范围是1/20~1个波长。

Test method for wavefront distortion of laser rods

ICS
31.020
CCS
L32
发布
1989-03-31
实施

本标准规定了红外探测器用化合物半导体材料、热释电材料的型号命名方法。

Designations for types of infrared detecting materials

ICS
31.020
CCS
L32
发布
1989-03-31
实施
1990-01-01

本标准适用于广播、电视、通讯设备用支撑、穿线、馈线、拉线、穿墙、底座等瓷件。

Specification for ceramic parts,type F

ICS
31.020
CCS
J04
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准适用于各种绝缘板、座、管、柱、绝缘子、线圈骨架、接插件、电容器、滤波器及其他元器件用基体或外壳等。

Specification for ceramic part,type E

ICS
31.020
CCS
J04
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准适用于各种瓷釉,电真空器件用夹持杆等。

Specification for ceramic parts,type D

ICS
31.020
CCS
J04
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准适用于金属陶瓷管、真空电容、真空开关、微波晶体管、可控硅用外壳等.

Specification for ceramic parts,type C

ICS
31.020
CCS
J04
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准适用于金属膜、氧化膜,碳膜、线绕等电阻器用基体。

Specification for ceramic parts,type B

ICS
31.020
CCS
J04
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准适用于微波、厚膜、薄膜集成电路用基片、片状元件用基片及电真空器件用输出窗片等。

Specification for ceramic parts,type A

ICS
31.020
CCS
J04
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准适用于声表面波和体波器件用铌酸锂、钽酸锂、锗酸鉍、硅酸鉍等单晶材料的型号命名。

Designations for LiNbO3,LiTaO3,Bi12GeO20,Bi12SiO20 piezoelectric crystals

ICS
31.020
CCS
L32
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准适用于结构陶瓷材料制成的电子陶瓷零件(以下简称瓷件);由功能陶瓷材料制成的瓷件可参照采用。

General specification for electronic ceramic parts

ICS
31.020
CCS
J04
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准规定了电子陶瓷名词术语的定义.包括基础理论、瓷料种类、性能与测试、设备和工艺及其它,共五部分。

Terms for electronic ceramics

ICS
31.020
CCS
L28
发布
1988-06-28
实施
1989-02-01

本标准适用于吸气用锆铝合金粉、吸气用锆铝合金环件和片件、吸气用锆铝合金复合带材、释汞吸气用复合带材及室温吸气用锆石墨材料及制品等非蒸散型吸气材料及制品的吸气速率和吸气量的测定。

Test methods of gas absorption characteristic for non-evaporation gettering materials and products

ICS
31.020
CCS
H21
发布
1988-02-25
实施
1989-02-01

本标准主要适用于元器件的失效率假定为常数的情况。在元器件规范中,对于各种不同类型的可靠性条款,本指南通常适用于成品,且与根据试验所估计的失效率有关。

Guide for the inclusion of reliability clauses into specifications for components (or parts) for electronic equipment

ICS
31.020
CCS
L05
发布
1986-11-19
实施
1987-10-01

本标准为电工电子系统和设备的研制与生产中的可靠性程序规定了总要求、阶段划分以及各阶段的主要任务与工作步骤。

Reliability procedure for system and equipment development and production

ICS
31.020
CCS
L05
发布
1986-11-17
实施
1987-10-01



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