C397 标准查询与下载

T/SUCA 006-2021 超高清显示器件 显示面板驱动架构技术指引

该标准规范了HG2D和1G1D等超高清LCD面板中所经常使用的不同驱动架构所对面板的特性的影响，如透过率、对比度、均匀性、充电能力、功耗等，进而就相应的架构对背板、走线、补偿、充电等方面提出相应的要求。

Technical guidelines for display panel driver architecture for ultra-high-definition display devices

T/SUCA 004.2-2021 智慧教室分级评估技术规范 第2部分：交互式投影系统

本技术规范规定了智慧教室中交互式投影系统性能的分级技术要求和测量方法。 本技术规范适用于应用于智慧教室场合中的交互式投影系统的生产评价和验收。

Smart Classroom Certification Technical Specification Part 2:Interactive projection system

T/CIE 115-2021 电子元器件失效机理、模式及影响分析（FMMEA）通用方法和程序

本文件是针对元器件级的失效模式及影响分析，是对系统及整机级的FMEA标准的有效补充，可保证元器件制造和应用方了解和掌握影响元器件可靠性的主要失效机理、模式及原因，并预先采取有效的预防措施；支撑元器件的可靠性设计、生产工艺控制以及整机用户的可靠性应用。

General Methods and Procedures for Failure Mechanism, Modes and Effects Analysis (FMMEA) of Electronic Components

T/CIE 119-2021 半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序

本文件给出半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序。专门针对使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验，根据半导体器件工艺和散裂中子源测试条件变化，编制新标准，覆盖热中子和高能中子协同测试，提升试验效率，覆盖高速大容量器件测试、MBU测试分析、1MeV~10MeV中子贡献等半导体器件大气中子单粒子效应测试中的关键环节。通过开展散裂中子源加速辐照试验、数据处理分析和计算，可以得到半导体器件在实际应用环境下的大气中子单粒子效应敏感性数据，为半导体器件抗辐射能力评价提供依据，为电子系统软错误模型和分析评价提供基础数据。

Atmospheric neutron single event effect test methods and procedures for semiconductor devices

T/CIE 118-2021 多热源组件（MCM/SiP）热性能指标及评价方法

本文件参考国际相关标准，结合行业实际应用需求，制定了多热源组件（MCM/SiP）热性能指标及评价方法标准，以解决实际应用中多热源组件缺乏规范的热性能表征参数和规范的检测评价方法问题。本文件可作为半导体分立器件、微电路器件热性能表征及热性能评价标准体系的重要组成部分。

Thermal performance index and evaluation method of multi-heat source module (MCM/SiP)

T/CIE 116-2021 电子元器件故障树分析方法与程序

本文件给出的基于失效物理的故障树构建方法及规范要求，解决了电子元器件故障树建树过程中故障事件演绎不充分、上下事件因果逻辑关系易混乱的问题，可以建立以故障树为载体且失效信息因果逻辑关系清晰的电子元器件故障信息库。本文件方法适用于产品尺寸小、内部结构性能难以直接测量的电子元器件产品。

Electronic Components Fault Tree Analysis Method and Program

T/CIE 121-2021 逆导型IGBT的热阻测试方法

本文件以IGBT中体二极管导通电压为热敏参数，建立适用于逆导型 IGBT器件的热阻测试电路和方法，规范逆导型IGBT的热阻测试流程，提高测试准确性。

Thermal resistance test method of reverse conduction IGBT

T/JSSIA 0008-2021 堆叠封装下封装体外形尺寸

本文件规定了堆叠封装(PoP)下封装体的外形尺寸。 本文件适用于堆叠封装(PoP)下封装体（以下简称下封装）的成品设计和成品尺寸检验

Outline Dimensions of Package on Package Lower Package

T/JSSIA 0007-2021 堆叠封装上封装体外形尺寸

本文件规定了堆叠封装(PoP)上封装体的外形尺寸。 本文件适用于堆叠封装(PoP)上封装体（以下简称上封装）的成品设计和成品尺寸检验。

Outline Dimensions of Package on Package Upper Package

T/JSSIA 0006-2021 晶圆级扇出型封装外形尺寸

本文件规定了晶圆级扇出型封装（FOWLP）的外形尺寸。 本文件适用于晶圆级扇出型封装（FOWLP）的成品设计和成品尺寸检验。

Oultine dimensions of Fan-out Wafer-Level Package

T/CASAS 019-2021 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法

金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升，特别是微纳米金属烧结件的烧结层往往具有低电阻率、高导热性能，这也使其更加适合未来的高温度、高功率密度应用。 电阻率是表示材料导电能力的关键物理量。作为材料的本征参数，电阻率与材料大小和形状无直接关系，如银电阻率为1.65 ×10-6Ω?cm，铜电阻率为1.75 ×10-6Ω?cm。对于微纳米金属烧结技术制备的烧结体的电阻率，一般情况下是对应金属体材料电阻率的数倍；采用不同材料、不同工艺下的微纳米金属烧结体，往往会形成微观下不同尺寸、不同数量、不同致密度的孔隙结构，从而影响其电阻率性能。 目前，新型的微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未对该技术制备的烧结体制定专门的电阻率测试方法标准。测试仪器品牌的不同，同时，样品规格、测试条件、测试步骤等的限定各有不同，这使得行业内无法高效可靠的对不同烧结膏体的电性能进行统一的比较。因此，有必要根据实际需求，尽快制定相应关键性能参数的术语标准和测试标准。 本文件采用了与T/CASA020《微纳米金属烧结体热导率试验方法：闪光法》统一尺寸的样品，并以凯尔文电桥原理的四探针法测定，避免测量中引线电阻、接触电阻的干扰，以保证微纳金属烧结体的小电阻率测量值情况下的准确性、可对比性。

Test method for resistivity of micro and nano metal sintered compact: four probe method

T/CASAS 020-2021 微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法

金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升，特别是微纳米金属烧结件的烧结层往往具有低电阻率、高导热性能，这也使其更加适合未来的高温度、高功率密度应用。 热导率，又称导热系数或导热率，是表示材料热传导能力大小的物理量。作为材料的本征参数，热导率与材料大小和形状无直接关系，但受材料种类、制备工艺和微观结构的影响。对于微纳米金属烧结技术制备的连接层，采用不同材料和工艺，往往会造成微观下不同尺寸和数量的观孔隙结构，从而影响其导热性能。 目前微纳米金属烧结连接技术尚属起步推广阶段，热导率测试方法业内尚无统一标准。通过行业调研发现，产业链中原材料提供商、研发单位、终端用户等各个环节使用的热导率测试方案和样品规格差异较大，这给从业者技术交流、样品验证和质量评定制造了极大困难。因此，有必要根据实际需求，尽快制定统一的热导率性能测试标准，统一行业术语，从而方便业内对微纳米金属烧结样品的测试评定。 本文件采用了闪光法测定微纳米金属烧结体样品热扩散系数，再利用材料比热容、体积密度参数，由公式求出材料导热系数。闪光法测定热扩散系数测试方法由于其测定范围广、速度快、样品制备简易、适用多种气氛、操作简便等特点，目前已在各行各业广泛应用。材料比热容可通过查找参考资料获得，或使用比较法实验测得。材料体积密度可按照相关标准测定。  本文件相较于GB/T 22588-2008，对样品规格、测试条件、测试步骤进行了详细约束。 

Test method for thermal conductivity of micro-nano sintered compact: laser flash method

T/CASAS 018-2021 微纳米金属烧结连接件 剪切强度试验方法

金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升。 剪切强度作为微纳米金属烧结件主要的性能指标之一，其测试方法广受关注。因微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未针对使用该技术制备的烧结件制定专门的的剪切强度测试方法标准。传统焊料剪切强度较低，其测试方法标准和强度判定规则不再适用。同时，因行业内各单位的测试仪器型号不同，样品规格、测试条件、操作步骤等条件也各有不同，这使得产业内从业人员无法在统一的条件下比较微纳米金属烧结件的剪切强度性能。希望借此标准的制定，有效规范行业内测试方法，使得各测试参数可有效比对，助力微纳金属烧结技术的产业化发展。 

Test method for shear strength of micro and nano metal sintered joints

T/CES 084-2021 柔性直流输电用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块应用可靠性试验规范

本标准适用于柔性直流输电用IGBT模块，其它新型IGBT器件如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等器件也可参照此标准。 本标准介绍了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性试验规范的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、试验项目、试验、接收判据等技术内容。 本标准考虑了柔性直流输电用IGBT模块工况的特殊性，对试验条件与程序进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决IGBT模块通过实际运行检验性能的周期长、风险大、成本高等问题，为柔性直流输电用IGBT模块的应用可靠性试验提供了技术指导。主要内容如下： 前言　 1 范围　 2 规范性引用文件 3 术语和定义 4 符号和缩略语 5 试验项目 6 试验 6.1 长时间双脉冲试验 6.2 重复安全工作区试验 6.3 二极管多周波浪涌电流试验 6.4 IGBT饱和区浪涌电流试验 7 接收判据

Test specification for application reliability of insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules for high-voltage direct current (HVDC) transmission using voltage sourced converters (VSC)

T/CES 085-2021 压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范

本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。 本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容。 本标准考虑到了压接型IGBT模块的特殊性，对检测方法和设备要求进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决常规测试耗时较长、测试成本高，检测效率低等问题，对压接型IGBT模块的广泛应用提供了基础保障。主要内容如下： 前言　 1 范围　 2 规范性引用文件 3 术语和定义 4 符号和缩略语 5 试验电路 6 设备要求 7 试验条件 8 试验步骤 9 失效判据 10 试验时间认定 11 试验报告

Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules

T/IAWBS 004-2021 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法

本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验方法。本文件还给出了车用宽禁带半导体器件，如碳化硅基场效应晶体管器件的特殊试验要求。 本文件适用于功率半导体器件（分立器件或模块），包括但不限于绝缘栅双极晶体管（IGBT）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和二极管器件。 本文件可为电动汽车用功率半导体器件的可靠性型式试验及可靠性的设计与检验提供指南。

General Requirements and Test Methods for Reliability Test of Power Semiconductor Modules Used in Electric Vehicles

T/ZZB 2393-2021 笔记本电脑用液晶屏

本文件规定了笔记本电脑用液晶屏的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量承诺。 本文件适用于笔记本电脑用液晶屏（以下简称“液晶屏”）。

Liquid crystal display for Notebook PC

T/SZBX 033-2021 4×100Gb/s强度调制可插拔光收发合一模块

本文件规定了基于4×100Gb/s的400Gb/s强度调制可插拔光收发合一模块的缩略语、术语和定义、技术要求、测试方法、可靠性试验、电磁兼容试验、检验规则、标志、包装、运输和贮存要求。

4×100Gb/s intensity modulation pluggable transceiver module

T/ZZB 2077-2021 三相桥式整流模块

本文件规定了三相桥式整流模块的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量承诺。 本文件适用于由六个整流管管芯组成，按壳温额定MDS30～MDS300型三相桥式整流模块(以下简称模块)。

Three-phase bridge rectifier module

T/SZBX 018-2021 晶圆级芯片尺寸封装产品

本文件规定了晶圆级芯片尺寸封装产品的结构代码、符号缩略语和产品外形图、技术要求、检测方法、检验规则和标签、标志、包装、运输和贮存等内容。

Products of Wafer Level Chip Scale Package