L90 电子技术专用材料 标准查询与下载



共找到 645 条与 电子技术专用材料 相关的标准,共 43

Specification for aluminum brazing joints

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

High purity quartz sand for electronic products Part 4 Determination of silica

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

Sodium aluminum hydride for electronic industry

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

Specification for silver brazed joints

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

本标准规定了电子器件用纯银钎料中硫含量测定方法。本标准适用于电子器件用纯银中硫的的测定(银铜钎料参照使用)。测定范围为0.003%~0.006%。

Analytical methods for pure silver brazing for electron device Determination of sulphur by combustion-iodimetry

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

High purity quartz sand for electronic products Part 1 Technical conditions

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

High purity quartz sand for electronic products Part 2 General rules for analytical methods

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2016-01-15
实施
2016-06-01

本标准规定了测定电子器件用金铜钎料中铜的EDTA容量法。 本标准适用于电子器件用金铜钎料中铜含量的测定。测定范围(质量分数):18%~22%。

Analytical methods for gold copper brazing for electron device Determination of copper by EDTA volumetry

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了采用原子吸收光谱法(AAS)测定硝酸中金属元素银、金、钙、铜、铁、钾和钠的试验方法。 本标准适用于电子工业用硝酸(HNO) 中微量金属元素的测定。 本标准中对于硝酸(HNO)中微量金属离子银、金、钙、铜、铁、钾和钠的含量在0.1 mg/L~1 mg/L,宜于用火焰法(FL-AAS);对于含量在0.1 μg/L~100 μg/L,宜于用无火焰(石墨炉)原子吸收法(GF-AAS)。 应用本标准测定电子工业用硝酸(HNO)时,原子吸收仪应放在较好的工作环境;对于元素含量在100 μg/L以下的测定,推荐不低于GB 50472中规定的100 000级洁净室。 本标准不涉及使用安全性问题,本标准的使用人应负责建立适当的安全健康条款及使用范围的限制。

Determination of Ag、Au、Ca、Cu、Fe、K、Na concentration of nitric acid by AAS

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了采用ICP-AES测定电子器件用纯银钎料中铅、铋、锌、镉、铁、镁、铝、锡、锑和磷的测试方法。 本标准适用于电子器件用纯银钎料中铅、铋、锌、镉、铁、镁、铝、锡、锑和磷的测定。测试范围(质量分数)铅、铋、锌、镉、铁、镁、铝、锡、锑为0.000 5 %~0.010%,磷为0.000 5%~0.003%。

Test method for lead, bismuth, zinc, cadmium, iron, magnesium, aluminium, tin, antimony and phosphorus in pure silver brazing for electron device by ICP-AES

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了晶体硅光伏组件用免清洗助焊剂(以下简称“助焊剂”)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输、标志和贮存。 本标准适用于晶体硅光伏组件生产过程中所使用的免清洗助焊剂。

No-clean flux used for crystalline silicon photovoltaic (PV) modules

ICS
31-030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

Determination of metal element content in hydrofluoric acid using inductively coupled plasma optical emission spectrometry

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了晶体硅光伏组件用浸锡焊带的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于晶体硅光伏组件生产过程中所使用的浸锡焊带。

Tin-based solder dipping ribbon used for crystalline silicon photovoltaic (PV) modules

ICS
31-030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了半导体器件用焊料的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。

Solder for semiconductor device

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了电子器件用金、银及其合金钎料清洁性、溅散性测定方法。

Test methods for gold, silver and their alloy brazing for electron device Determination of cleanness, spatter

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了电子器件用金、银及其合金钎料的要求、质量保证、试验方法和检验规则等。 本标准适用于非氧化气氛中钎焊电子器件用金、银及其合金钎料。

Gold, silver and their alloy brazing for electron device

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了测定电子器件用金镍钎料中镍的EDTA容量法。 本标准适用于电子器件用金镍钎料中镍含量的测定。测定范围(质量分数):16.0%~19.0%。

Analytical methods for gold nickel brazing for electron device Determination of nickel by EDTA volumetry

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

Determination of metal element content in nitric acid using inductively coupled plasma mass spectrometry

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

本标准规定了用ICP-AES测定铅、磷、锌的测试方法。 本标准适用于电子器件用金铜及金镍钎料中铅、锌、磷的测定,测定范围(质量分数):铅0.0005 %~0.006%,磷0.0002% ~0.002%,锌0.001 % ~0.008%。

Test method for lead, phosphorus and zinc in gold copper and gold nickel brazing for electron device by ICP-AES

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-10-10
实施
2016-04-01

Electrolytic Copper Foil for Li-ion Batteries

ICS
31.030
CCS
L90
发布
2015-09-24
实施
2015-11-24



Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号