L90 电子技术专用材料 标准查询与下载

GB/T 5594.4-2015 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法

GB/T5594 的本部分规定了装置零件,真空电子器件,电阻基体,半导体及集成电路基片等用电子陶瓷材料介电常数和介质损耗角正切值的测试方法。 本部分适用于装置零件.真空电子器件.电阻基体,半导体及集成电路基片等用电子陶次材料在频率为1 MHz ,温度从室温至500 DC条件下的介电常数和介质损耗角正切值的测试。

Test methods for properties of structure ceramic used in electronic component and device.Part 4:Test method for permittivity and dielectric loss angle tangent value

GB/T 5838.41-2015 荧光粉 第4-1部分:黑白显示管用荧光粉

本部分规定了黑白显示管器用荧光粉的要求.试验方法、检验规则、\包装运输和储存。 本部分适用于黑白显示管器用荧光粉。

Phosphors.Part 4-1:Phosphor for black-white picture tubes

GB/T 31369-2015 太阳电池用电子级氢氟酸

本标准规定了太阳电池用电子级氢氟酸(以下简称电子级氢氟酸)的性状、技术要求、试验方法、检验规则、标志、标签和包装、运输、储存。本标准适用于电子级氢氟酸。本标准不涉及使用安全性问题。本标准的使用人应负责建立适当的安全健康条款及使用范围的限制。

Electronic grade hydrofluoric acid for solar cells

GB/T 31370.3-2015 平板显示器(FPD)彩色滤光片测试方法 第3部分:耐热性

GB/T31370 的本部分规定了平板显示器〈FPD〉彩色滤光片耐热性的测试方法。 本部分适用于平板显示器(FPD〉用彩色滤光片耐热性的测试。

Test method of flat panel display(FPD)color filters.Part 3:Heat resistance

GB/T 31370.1-2015 平板显示器(FPD)彩色滤光片测试方法 第1部分:颜色和透光率

GB/T31370 的木部分规定了平板显示器〈FPD〉彩色滤光片颜色、透光率的测试方法。 本部分适用于平板显示器(FPD〉用彩色滤光片颜色、透光率的测试。

Test method of flat panel display (FPD) color filters.Part 1:Color and transmittance

GB/T 31379-2015 平板显示器(FPD)偏光膜试验方法

本标准规定了平板显示器偏光膜外观(点缺陷、线缺陷、尺寸、厚度、翘曲度)、光学性能(单体透过率、平行透过率、正交透过率、单波长透过率、紫外隔离性能、偏振度、二色性比、色调、雾度)、粘结性能、耐候性能和剥离力的试验方法。本标准适用于平板显示器用偏光膜。

Test method for flat panel display (FPD) polarizing films

GB/T 31378-2015 平板显示器(FPD)偏光膜表面硬度的测试方法

本标准规定了平板显术器用偏光膜衰面硬度的测试方法”本标准适用于平板显示器偏光膜表面硬度的测试。

Test method for surface hardness of flat panel display (FPD) polarizing film

GB/T 31370.4-2015 平板显示器(FPD)彩色滤光片测试方法 第4部分:耐化学性

GB/T 31370的本部分规定了平板显示器(FPD)彩色滤光片耐化学性的测试方法。本部分适用于平板显示器(FPD)用彩色滤光片耐化学性的测试。

Test method of flat panel display(FPD)color filters.Part 4:Chemical resistance

GB/T 31370.2-2015 平板显示器(FPD)彩色滤光片测试方法 第2部分:耐光性

GB/T31370 的本部分规定「平板显示器〈FPD〉彩色滤光片耐光性的测试方法。 本部分适用于平板显示器(FPD〉用彩色滤光片耐光性的测试。

Test method of flat panel display (FPD) color filters.Part 2:Light resistance

GB/T 11446.7-2013 电子级水中痕量阴离子的离子色谱测试方法

GB/T11446 的本部分规定了电子级水中痕量握离子(FE-)、氨离子(CI)、亚硝酸根离子(NOz )、省离子(Br-)、硝酸根离子(NO).构酸根离子(POi-)、硫酸根离子(SO和)的离子色谱测试方法。 本部分适用于电子级水中痕量氟离子.氨离子、.亚硝酸根离子.省离子、硝酸根离子、杰酸根离子、硫酸根离子的测定,其中检出上限依次为0.7 pg/L.0.8pg/LTHgEAL.LpPgE人LTRg/L.THg/工和1 Hg/L。

Test method for trace anion in electronic grade water by ion chromatography

GB/T 11446.6-2013 电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法

GB/T 11446的本部分规定了电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法。本部分适用于电子级水中二氧化硅的测定,其中检出限为1 μg/L。

Test method for Si0₂ in electronic grade water by spectrophotometer

GB/T 11446.8-2013 电子级水中总有机碳的测试方法

GB/T 11446的本部分规定了电子级水中总有机碳的测试方法。本部分适用于电子级水中总有机碳的测定。

Test method for total organic carbon in electronic grade water

GB/T 11446.9-2013 电子级水中微粒的仪器测试方法

GB/T 11446的本部分规定了电子级水中微粒的仪器测定方法。本部分适用于电子级水中微粒的连续式或单次检测计数,测定的微粒粒径不小于0.05 μm,微粒的浓度范围为0~10 000个/mL。

Test method for particles in electronic grade water by instrument

GB/T 11446.5-2013 电子级水中痕量金属的原子吸收分光光度测试方法

GB/T 11446的本部分规定了无火焰(或火焰)原子吸收分光光度计测定电子级水中痕量金属铜、锌、镍、铁、铅、钠和钾的测试方法。也可使用灵敏度相当的其他仪器如电感耦合等离子体/质谱仪(或电感耦合等离子体发射光谱仪)测量。无火焰原子吸收分光光度适用于EW-I~EW-III级电子级水中痕量金属的测定。方法的检出限(质量分数)应在1×10以下。火焰原子吸收分光光度法适用于EW-IV电子级水中痕量金属的测定。

Test method for measuring trace metals in electronic grade water by atomic absorption spectrophotometry

GB/T 11446.3-2013 电子级水测试方法通则

GB/T 11446的本部分规定了电子级水的采样、贮存与运输及报告的格式。本部分适用于EW-I~EW-IV级电子级水。

Generic rules for test methods of electronic grade water

GB/T 11446.4-2013 电子级水电阻率的测试方法

GB/T11446 的本部分规定了电子级水的电阻率的测试方法。 本部分适用于电子级水电阻率测试。

Test method for resistivity of electronic grade water

GB/T 11446.10-2013 电子级水中细菌总数的滤膜培养测试方法

GB/T11446 的本部分规定了电子级水中细菌总数(活菌)的滤膜培养测试方法。 本部分适用于EW-工一EW-K级电子级水中细菌总数的测定。

Test method for total bacterial count in electronic grade water by membrane filters

GB/T 11446.1-2013 电子级水

GB/T11446的本部分規定了屯子級水的級別‵技未指椋要求‵武酸方法和栓酸規則〝本部分适用于电子和半导体下业用高纯清洗用水。

Electronic grade water

GB/T 14619-2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片

本标准规定了厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的生产和采购,采用厚膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片(以下简称基片)也可参照使用。

Alumina ceramic substrates for thick film integrated circuits

GB/T 29844-2013 用于先进集成电路光刻工艺综合评估的图形规范

本标准规定了用于先进集成电路光刻工艺综合评估的标准测试图形单元的形状、一般尺寸,以及推荐的布局和设计规则,这些标准测试图形包括可供光学显微镜和扫描电子显微镜用的各种图形单元。本标准适用集成电路的工艺、常规掩模版、光致抗蚀剂和光刻机的特征和能力作出评价及交替移相掩模版相位测量,适用于g线、i线、KrF、ArF等波长的光刻设备及相应的光刻工艺。

Specifications for metrology patterns for the evaluation of advanced photolithgraphy