31.080.20 晶体闸流管 标准查询与下载
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Semiconductor devices—Part 6: Thyristors
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 2015-12-31
- 实施
- 2017-01-01 00:00:00.0
本表准规定了高压直流输电用光控晶闸管的型号、尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和订货单等技术要求。 本标准适用于内部集成BOD器件的高压直流输电用光控晶闸管系列。
General requirements for light-trigged thyristors for HVDC transmission
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 2008-01-22
- 实施
- 2008-09-01
本标准规定了高压直流输电用普通晶闸管的型号、尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和订货单等技术要求。 本标准适用于高压直流输电用电触发反向阻断晶闸管系列。
General requirements for thyristors for HVDC transmission
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 2007-06-21
- 实施
- 2008-02-01
国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用规范要求所放行的电子元器件在其他所有成员国无需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范的一个，应与下列国家标准一起使用。 ——GB/T 4589.1—1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范。 ——GB/T 12560—1999 半导体器件 分立器件分规范。
Semiconductor devices-Discrete devices-Part 6:thyristors-Section three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-03-23
- 实施
- 2005-10-01
国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用规范要求所放行的电子元器件在其他所有成员国无需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范的一个，应与下列国家标准一起使用。 ——GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分力器件和集成电路总规范 ——GB/T 12560-1999 半导体器件 分力器件分规范
Semiconductor devices-Discrete devices-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-03-23
- 实施
- 2005-10-01
本空白详细规范规定了制定100A以下（含100A）环境或管壳额定的反向阻断三极闸流晶体管（包括快速型）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Semiconductor devices. Discrete devices. Part 6: Thyristors. Section One--Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient or case-rated, up to 100A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- L43
- 发布
- 1998-11-17
- 实施
- 1999-06-01
本空白详细规范规定了制定100A以下（含 100A）环境或管壳额定的双向三及闸流晶体管（包括快速型）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与（GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》（IED 747-10：1984）和GB/T 8560-1990《半导体器件、分立器件规范》（IEC 747-11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。
Semiconductor devices Discrete devices Part 6: Thyristors Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient or case-rated,up to 100A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- L43
- 发布
- 1998-11-17
- 实施
- 1999-06-01
本标准规定了晶闸管的术语、文字符号、额定值、特性、测试方法、接收和可靠性。 本标准适用于反向阻断三极晶闸管、双向三极晶闸管、环境额定双向二极晶闸管和反向导通三极晶闸管。
Semiconductor devices. Part 6: Thyristors
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 1994-12-07
- 实施
- 1995-10-01
本标准规定了逆导三极晶闸管的换向电压临界上升率和关断时间的测试方法。逆导三极晶闸管一般电热特性和额定值的测试方法及要标准的规定。 本标准适用于逆导三极晶闸管的测试。
Measuring methods for thyristor. Reverse conducting triode thyristor
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 1994-12-07
- 实施
- 1995-10-01
本空白详细规范规定了制订100A以上、环境或管壳额定的双向三极晶闸管详细规范的基本要求，制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for bidirectional triode thyristors,ambient or case-rated,above 100A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 1991-08-29
- 实施
- 1992-05-01
本空白详细规范规定了制订5A以上（含5A）、环境或管壳额定的可关断晶闸管详细规范的基本要求，制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for gate turn-off thyristors, ambient or case-rated,5A and above
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 1991-08-29
- 实施
- 1992-05-01
本空白详细规范规定了制订5A/5A以上（含5A/5A）环境或管壳额定的逆导三极晶闸管详细规范的基本要求，制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for reverse conducting triode thyristors,ambient or case-rated,5a/5a and above
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 1991-08-29
- 实施
- 1992-05-01
本空白详细规范规定了制订100A以上、环境或管壳额定的反向阻断三极晶闸管（包括快速型）详细规范的基本要求，制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,above 100A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 1991-08-29
- 实施
- 1992-05-01
Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient or case-rated, above 100 A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 1991-08-29
- 实施
- 1992-05-01
Blank detail specification for bidirectional triode thyristors, ambient or case-rated, above 100A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 1991-08-29
- 实施
- 1992-05-01
本空白详细规范规定了制订“单结晶体管”详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
Blank detail specification for unijunction transistors
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- L41
- 发布
- 1991-07-06
- 实施
- 1992-03-01
本规范适用于脉冲闸流管。它规定了质量评定的程序，并给出了电参数、环境、耐久性、包装的试验和测试方法。 本规范由适用于某种特定类型的脉冲闸流管的空白详细规范进一步补充。
General specification for pulse thyratrons
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- L39
- 发布
- 1991-04-28
- 实施
- 1991-12-01
本空白详细规范适用于氢闸流管，它与GB/T12846《脉冲闸流管总规范》一起使用。它规定了详细规范采用的格式和包括的内容。
Blank detail specification for hydrogen thyratrons
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- L39
- 发布
- 1991-04-28
- 实施
- 1991-12-01
Semiconductor devices — Part 6: Discrete devices — Thyristors
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- 发布
- 2021-12-29
- 实施
Semiconductor devices — Part 6: Discrete devices — Thyristors
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- 发布
- 2021-12-29
- 实施
