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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层

上一篇 / 下一篇  2021-01-07 16:03:07/ 个人分类:离子源

上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

该实验以 99.9% 纯度 Ti 靶和纯度石墨靶为原材料通过离子溅射技术在硬质合金表面制备 Ta-C涂层.

 

研究结果:

石墨靶溅射时间 55min 时制备的 Ta-C涂层综合性能较优涂层摩擦系数较低达到 0.13, 对膜副表面形成了石墨转移膜 Ta-C 涂层起到润滑作用.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计美国 KRI 考夫曼离子源美国HVA 真空阀门美国 inTEST 高低温冲击测试机美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

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TAG: krirficp380射频离子源涂层类金刚石考夫曼ta-c

 

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