2019.12.27
一、肖特基二极管特性
1、肖特基(schottky)二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多,所以自身功耗较小,效率高。2、由于反向电荷恢复时间极短,所以适宜工作在高频状态下。
3、能耐受高浪涌电流。
4、目前市场上常见的肖特基管最高结温分100℃、125℃、150%、175℃几种(结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效。
5、它也有一些缺点:是其耐压较低及反向漏电流稍大。选型时要全面考虑。肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。
二、肖特基常见型号封装图
关于封装
通过型号识别封装外形:
mbr10100:to-220ac,单芯片,两引脚,
mbr10100ct:to-220ab,双芯片,三引脚,型号后缀带ct
mbrb10100ct:to-263(d2pak)、贴片。
型号前面第四个字母b,代表to-263,国际通用命名。双芯片,三引脚,型号......
......
肖特基二极管的基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能
恢复或部分恢复,就可认为不是硬击穿或称为软击穿。若温度上升太高,PN结的结构完全破坏,击穿的条件去除后,PN结的功能就不能得到恢复,这种击穿称为硬击穿(如下图肖特基二极管芯片为大电流击穿后的图像)。硬击穿的肖特基二极管不能正常工作,通常说烧坏
0.2V)。2、反向恢复时间快:由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度
小电流时是0.1-0.2V。 流过额定电流时就大了,看数据手册可知: 1A 3A 1N5817(20V/1A) 0.45V 0.75V 1N5818(30V/1A) 0.55V 0.875V 1N5819(40V/1A) 0.6V 0.9V 肖特基二极管最大的优点是阻抗低、正向压降小、恢复速度快,所以常用于高频大电流整流和降电保护线路。
三端型肖特基二极管应先测出其公共端,判别出是共阴对管,还是共阳对管,然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。现以两只分别为共阴对管和共阳对管的肖特基二极管测试为例,说明具体的检测方法,将引脚分别标号为l、2和3,万用表置于
肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件,其特长是开关速度非常快,反向恢复时间可以小到几个纳秒,正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作,电脑主机电源的输出整流二极管就
肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。肖特基对管又有共阴(两管的负极相连)、共阳
肖特基二极管的主要参数有额定正向工作电流、最高反向工作电压、反正电流,也是肖特基二极管的性能好坏和二极管的适用范围技术指标。肖特基二极管的击穿电压就是加在二极管两端反正电压超过二极管最高反向工作电压值,那么二极管被击穿
用“DC POWER SUPPLY”仪(恒流稳压直流电流)测试:先给小电压以便有电流通过肖特基二极管,再慢慢调大电流达到被测肖特基二极管的额定电流,待电压值稳定后再读数,稳定后的读数就是额定电流的压降。 为何是稳定后的电压
描述High-Performance UV-Vis DetectionOutstanding wavelength resolution from a 1024-element photodiode
描述High-Performance UV-Vis DetectionOutstanding wavelength resolution from a 1024-element photodiode
快脉冲、大电流激光二极管驱动器(LDD100) (德国Artifex公司) LDD100激光二极管驱动器采用数字控制模拟电流源提供:操作简单,灵活多变的精确控制
产品简介 屹持光电推出的TeraSchottky肖特基亚太赫兹源基于肖特基二极管技术以及混频器技术。基频源输出75GHz,频率可扩展至150GHz,300GHz,以及600GHz。肖特基
基于二极管阵列检测技术,具备多波长同时检测、3D全光谱采集、峰纯度计算等功能,且灵敏度和UV检测器相当。同时具备数字信号输出与模拟信号输出,具有广泛的兼容性。