快恢复二极管的应用电路
（二）
2020.10.26
cascode相当于由gan hemt和低压mosfet组成：gan hemt可承受高电压，过电压能力达到750 v，并提供低导通电阻，而低压mosfet提供低门极驱动和低反向恢复。hemt是高电子迁移率晶体管的英文缩写，通过二维电子气在横向传导电流下进行传导。
图1：gan内部架构及级联结构
使用600 v gan cascode的三大优势是：
1. 具有卓越的体 二极管特性：级联建立在低压硅技术上，且反向恢复特别低;
2. 容易驱动：设计人员可使用像普通mosfet一样的传统门极驱动器，采用电压驱动，且驱动由低压硅mosfet的阈值电压和门极电荷决定；
3. 高可靠性：通过长期应用级测试，且符合jedec行业标准(通过标准为：0个击穿、最终的漏电流低于规格门限、导通 阻抗低于规格门限)。
pfc能效测试曲线
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