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超快恢复二极管的应用

2019.12.17

肖特基二极管的基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(n型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与pn结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40v左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。

肖特基二极管它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的pn结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为rc时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100ghz。并且,mis(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电......

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快恢复二极管与肖特基二极管有什么区别?

的整流、续流二极管,在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr,其定义是:电流流过零点由

太赫兹信息超材料与超表面 (二)

散射超表面、动态全息超表面以及新概念雷达系统等,展示了编码超表面在太赫兹频段应用中的潜力。与传统超材料的等效媒质理论相比,信息超材料引入了数字化的编码系统,可以通过对编码序列的控制来实现电磁波的调控。此外,现场可编程的超表面,通过引入二极管

肖特基二极管(sbd)基本原理及特性

与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右,大多不高于60V,以致于限制了其应用范围。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流

揭秘什么是肖特基二极管的软击穿?

恢复或部分恢复,就可认为不是硬击穿或称为软击穿。若温度上升太高,PN结的结构完全破坏,击穿的条件去除后,PN结的功能就不能得到恢复,这种击穿称为硬击穿(如下图肖特基二极管芯片为大电流击穿后的图像)。硬击穿的肖特基二极管不能正常工作,通常说烧坏

介绍光电二极管的应用

线性。  在医疗应用设备中,光电二极管也有着广泛的应用,例如X射线计算机断层成像(computed tomography, CT)以及脉搏探测器。  PIN结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。然而,如果光强足够大,雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用,例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

肖特基二极管压降多少及压降的意义

  小电流时是0.1-0.2V。  流过额定电流时就大了,看数据手册可知:  1A 3A  1N5817(20V/1A) 0.45V 0.75V  1N5818(30V/1A) 0.55V 0.875V  1N5819(40V/1A) 0.6V 0.9V  肖特基二极管最大的优点是阻抗低、正向压降小、恢复速度快,所以常用于高频大电流整流和降电保护线路。

应用案例|超快光化学法制备超亮NIR-II量子点用于低剂量体内成像

等离子体耦合使得Ag2S亮度降低,而较低的亮度会导致成像信噪比低,空间分辨率不高,为了解决这一问题,作者利用飞秒脉冲激光照射传统方法制备的Ag2S量子点的氯仿溶液,在飞秒时间尺度上发生Ag+与CHCl3溶质分子的超快光化学反应,产生的

超分辨显微技术浅析

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国内首台超快扫描隧道显微镜问世 实现飞秒级时间分辨

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快恢复二极管-仪器信息

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提供了全新的革命性界面,用来采集和分析钙离子、钠离子和PH值等比率成像的数据,同时获得细胞内离子成像。

各种标准产品,还能满足客户的各种定制要求。超快激光应用飞秒激光光学元件按照其工作特行来划分,主要包含以下几类:·1、标准飞秒激光应用·2、宽带飞秒激光应用·3、倍频程带宽飞秒应用·4、银镜·5、高功率飞

                           Upright material microscope Leica DM6 M保存和调用工作的可再现性对于许多应用都非常重要。轻松复制设置切如此简单,只需一次单击

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