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ald原子层沉积真空泵

(ald)的研究

2021.4.20

原子层沉积(ald)的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力,所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀,因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ald过程仿真对深入了解沉积机理,改进和优化薄膜生长工艺,提高薄膜质量,改善薄膜性质具有重要意义。在深入了解ald的工艺特点及工艺过程后,针对h-si(100)表面上沉积alo;的ald过程的仿真进行了多方面的探索研究,并取得了一些创新性结果。

1)提出ald过程通常存在初始沉积和后续生长两个不同的沉积阶段,薄膜的生长模式分别表现为岛状生长和层状生长,其中初始沉积阶段对薄膜形态有着不可忽略的影响。

2)以alo;的ald过程为参考,给出了原子层沉积实验装置的初步设计方案。

3)以alo;尖晶石晶体结构为基础,构建仿真二维单元模型,通过分析不同沉积阶段的反应机理,采用基于晶体结构的动力学蒙特卡罗方法(klmc)对h-si(......

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