JB/T 9687.1-1999由行业标准-机械 CN-JB 发布于 1999-08-06,并于 2000-01-01 实施。
JB/T 9687.1-1999 在中国标准分类中归属于: K46 电力半导体器件、部件,在国际标准分类中归属于: 29.200 整流器、转换器、稳压电源。
JB/T 9687.1-1999 电力半导体器件用钼圆片的最新版本是哪一版?
最新版本是 JB/T 9687.1-1999 。
本标准规定了电力半导体器件用钼圆片的外形尺寸、技术要求、试验方法、检验规则及包装、运输、贮存和标志。 本标准适用于钼板冲制及钼坯锻造法生产的电力半导体器件用钼片。
、溅射靶材、封测材料、切片、磨片、抛光片、薄膜等;7、第三代半导体:第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等;8、电子元器件:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件...
、溅射靶材、封测材料、切片、磨片、抛光片、薄膜等;7、第三代半导体:第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等;8、电子元器件:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件...
、溅射靶材、封测材料、切片、磨片、抛光片、薄膜等;7、第三代半导体:第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等;8、电子元器件:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件...
、溅射靶材、封测材料、切片、磨片、抛光片、薄膜等;7、第三代半导体:第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等;8、电子元器件:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件...
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