SJ 3249.1-1989
半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法
Methods of measurement for resistivity of semi-insulation Gallium arsenide and Indium phosphide single crystal material
2010-02
- 标准号
- SJ 3249.1-1989
- 发布
- 1989年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 3249.1-1989
- 适用范围
- 本标准规定了半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料电阻率的测量原量，仪器设备，测量步骤，计算方法。 本标准适用于室温电阻率为10^(6)～10^(8)Ω·cm均匀的砷化镓和磷化铟体单品半绝缘材料、电阻率在10^(4)～10^(5)Ω·cm时也可参照使用。
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绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80％的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300 毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...