氮化镓 GaN 在宽禁带半导体材料中,氮化镓(GaN)由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密度大等问题的困扰,发展较为缓慢,但进入 90 年代后,随着材料生长和器件工艺水平的不断发展,GaN 半导体材料及器件的发展十分迅速,目前已经成为宽禁带半导体材料中耀眼的新星。 GaN 半导体材料的应用首先是在发光器件领域取得重大突破的。...
系统适应范围■ 适用于各种材料太阳能电池的测试:■ 单晶硅(p-Si)、多晶硅(m-Si)、非晶硅(α-Si)、砷化镓(GaAs)、铟镓磷(GaInP)、磷化铟(InP)、锗(Ge)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒(CIS)、铜铟镓硒(CIGS)、铜锌锡硫(CZTS)、染料敏化电(DSSC)、量子点电池(QDSC)、有机太阳能电池(Organic Solar Cell)、聚合物太阳能电池(Polymer...
系统适用范围1、适用于各种材料的太阳电池包 括:单晶硅Si、多晶硅mc-Si、非晶硅α-Si、砷化镓GaAs、镓铟磷GaInP、磷化铟InP、锗Ge、碲化镉CdTe、铜铟硒CIS、铜铟镓硒 CIGS、染料敏化DSSC、有机太阳电池Organic Solar Cell、聚合物太阳电池Polymer Solar Cell 等2、适用于多种结构的太阳电池包括:单结Single junction、多结...
但是铸造多晶硅太阳能电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池,材料中的各种缺陷,如晶界、位错、微缺陷,和材料中的杂质碳和氧,以及工艺过程中玷污的过渡族金属被认为是电池转换效率较低的关键原因,因此关于铸造多晶硅中缺陷和杂质规律的研究,以及工艺中采用合适的吸杂,钝化工艺是进一步提高铸造多晶硅电池的关键。量产的单晶硅电池转换效率在17%左右,多晶硅电池转换效率在16%左右。...
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