ASTM F81-01
ASTM F81-01

标准号

ASTM F81-01

发布

1970年

发布单位

/

当前最新

ASTM F81-01

 

 

引用标准

ASTM F84

适用范围

1.1 本测试方法2提供了测定从通过直拉法或浮区技术生长的硅单晶切割而成的半导体晶片的电阻率相对径向变化的程序。
1.2 本测试方法提供了使用测试方法 F 84 进行径向电阻率变化的四点探针测量的程序。
1.3 该测试方法可测量样品中心和选定外部区域之间的电阻率变化。使用四点探针阵列时获得的有关中间区域变化的幅度和形式的信息量取决于所选的采样计划（见 7.2）。如果晶片上的方位角变化或沿晶体长度的轴向变化不可忽略，则对测量为径向变化的变化的解释可能是错误的。
1.4 本测试方法适用于圆形晶片形式的单晶硅，其厚度小于平均探针间距的二分之一，且直径至少为 15 毫米（0.6 英寸）。可以对任何可以获得可靠电阻率测量结果的样本进行测量。测试方法F 84的电阻率测量程序已经在p型硅的电阻率在0.0008到2000V·cm之间以及n型硅的电阻率在0.0008到6000V·cm之间的样本上进行了测试。这些测量所需的几何校正因子包含在标准晶圆直径的情况下，并且在其他情况下以表格形式提供。3 注 1——如果晶圆的厚度大于测量探针的平均间距，则不存在任何几何校正因子。除了晶圆面中心的测量之外，还可以使用几何校正因子。
1.5 给出了几个采样计划，指定了被测晶圆上的测量位置组。采样计划允许获得不同级别的电阻率变化细节。测量各方应选择并商定这些抽样计划之一。然后，在所选采样计划中指定的每个地点应用测试方法 F 84 的基本电阻率测量。
1.6 结果表示为几个测量点之间电阻率的相对变化。为了获得电阻率的绝对值，有必要测量和校正样品温度（见 11.1.4）。
1.7 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。
1.8 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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