ASTM F1392-02
ASTM F1392-02
- 标准号
- ASTM F1392-02
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F1392-02
- 引用标准
- ASTM D4356 ASTM D5127 ASTM E691 ASTM F1153 ASTM F1241 ASTM F26 ASTM F42 ASTM F672 ASTM F723 ASTM F81 ASTM F84
- 适用范围
- 1.1 该测试方法2涵盖了外延和抛光体硅晶片中净载流子密度和净载流子密度分布的测量，范围为约4·3·10·13至约8·3·1016载流子/cm3（电阻率范围为约0.1至约100V）在n型晶片中为约0.24至约330V·cm，在p型晶片中为约0.24至约330V·cm。
1.2 该测试方法需要形成肖特基势垒二极管，并用汞探针接触外延或抛光晶片表面。可能需要对硅表面进行化学处理才能生产可靠的肖特基势垒二极管 (1)。3 nand p 型晶圆的表面处理化学物质不同。这种测试方法有时被认为是破坏性的，因为晶圆表面上形成的肖特基接触可能会造成污染；然而，可以对同一测试样本进行重复测量。
1.3 本测试方法可适用于相同或相反导电类型衬底上的外延层。该测试方法包括用于测量具有或不具有绝缘背密封层的基板的夹具的描述。
1.4 可描绘区域的深度取决于测试样品中的掺杂水平。根据 Severin (1) 和 Grove (2) 报告的数据，图 1 显示了耗尽深度、掺杂剂密度、施加电压以及汞硅触点的击穿电压之间的关系。测试样本可以从大约对应于 1V 施加电压的耗尽深度到对应于最大施加电压（200V 或大约 80% 的击穿电压，以较低者为准）的耗尽深度进行分析。要通过此测试方法进行测量，层的厚度必须大于对应于 2 V 外加电压的耗尽深度。
1.5 此测试方法旨在在延长样品制备时间或对晶圆进行高温处理时快速确定载流子密度。不实用。
1.6 本测试方法规定使用抛光块状参考晶片来确定汞探针接触的有效面积，这些参考晶片已根据测试方法 F 84（注 1）在 23°C 下测量了电阻率。该测试方法还包括用于测量电容和电压的设备的校准程序。注 1：确定汞探针接触有效面积的另一种方法不包括在本测试方法中，该方法涉及使用参考晶片，其净载流子密度是使用制造的台面或平面 pn 结二极管或蒸发肖特基二极管测量的。如果测试双方同意，可以使用。
1.7 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见 7.1、( 7.2、7.10.3（注 6）、8.2、11.5.1、11.6.3 和 11.6.5。