图1:金属铜纳米颗粒催化化学刻蚀法制备大面积均匀倒金字塔绒面结构。(a)浸泡在刻蚀液中的156 x 156 mm2工业用单晶硅片(上)及表面低倍电镜照片(下);(b)致密的倒金字塔阵列(上)及目前通用的金字塔阵列(下)电镜照片;(c)单个倒金字塔俯视(上)及截面(下)照片,圆滑的底部有利于电极的均匀覆盖和良好欧姆接触的形成。图2:未制绒硅、金字塔绒面及刻蚀不同时间的倒金字塔绒面的反射率对比。...
5、边缘刻蚀、清洗:扩散过程中,在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环,必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降,以至成为废品。目前,工业化生产用等离子干法腐蚀,在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅用途,去除含有扩散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。6、沉积减反射层:沉积减反射层的目的在于减少表面反射,新增折射率。...
微模可由硅材料、玻璃、环氧基SU28负光胶和聚二甲基硅氧烷( PDMS)等制造。通过光刻可在SU28负光胶上得到高深宽比(20 : 1)和分辩率高达几微米的图形,经显影烘干后可直接作模具用;用聚二甲基硅氧烷浇注于由硅材料、玻璃等材料制体积的母模上可制得聚二甲基硅氧烷模具。浇注用的高分子材料应具有低粘度,低固化温度,在重力作用下,可充满模子上的微通道和凹槽等处。...
左上:STEM顶视图,用原子层选择性刻蚀锗硅的方法制作的直径为10纳米的纳米线(左)和厚度为23纳米的纳米片(右);右上:具有自对准高k金属栅的叠层垂直纳米环栅晶体管(VSAFETs)的TEM截面图(左)及HKMG局部放大图(右);下:pVSAFETs器件的结构和I-V特性:器件结构示意图(左),转移特性曲线(中)和输出特性曲线(右)...
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