再加上浸没光刻和多重曝光等新技术的出现,193nm波长ArF光刻系统突破了此前 65nm 分辨率的瓶颈,所以在45nm 到10nm之间的半导体制程工艺中,ArF光刻技术仍然得到了泛的应用。 ( 光刻用光源技术演进) 浸没光刻;在与浸没光刻相对的干法光刻中,光刻透镜与光刻胶之间是空气。光刻胶直接吸收光源发出的紫外辐射并发生光化学反应。在浸没光刻中,光刻镜头与光刻胶之间是特定液体。...
其中,ArF光刻胶为目前大规模应用中分辨率最高的,而EUV光刻胶则是光刻胶未来芯片的主流材料,光刻胶产品体系与集成电路尺寸可参见下方表格。 ...
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