T/CPIA 0059-2024由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2024-03-10,并于 2024-03-15 实施。
T/CPIA 0059-2024在国际标准分类中归属于: 27.160 太阳能工程。
T/CPIA 0059-2024 晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备的最新版本是哪一版?
最新版本是 T/CPIA 0059-2024 。
本文件规定了晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备的术语和定义、工作环境、技术要求、基本性能、检验方法、交付检验以及标志、包装、搬运和运输、贮存。 本文件适用于晶体硅光伏电池用管式LPCVD设备的生产及检验。其他类型LPCVD设备可参考使用。LPCVD设备可进行隧穿氧化层、本征多晶硅(Poly-Si)层、原位掺杂多晶硅(Poly-Si)层等的工艺制备。
[1]3、适于大批量生产:非晶硅材料是由气相淀积形成的,目前已被普遍采用的方法是等离子增强型化学气相淀积(PECVD)法。此种制作工艺可以连续在多个真空淀积室完成,从而实现大批量生产。采用玻璃基板的非晶硅太阳能电池,其主要工序(PECVD)与TFT-LCD阵列生产相似,生产方式均具有自动化程度高、生产效率高的特点。...
研制出高效多晶硅铸锭炉、全自动视觉定位丝网印刷装备、全自动电池片测试分选装备、高产能全自动四管扩散炉装备和高产能全自动四管等离子体增强化学气相淀积(PECVD)装备,并均实现技术成果转化。此外,中心还建有一条年产6000台套大型装备装配流水线。...
它可以在多种衬底(如单晶硅、绝缘体、SiO2牺牲层及非晶硅等)上,采用等离子体强化气相淀积,物理溅射、低压气相淀积及电子束放射等技术生长成薄膜,供不同场合选择使用。 总之,SiC是一种具有优良性质的材料,具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高电子饱和速度及优良的力学和化学性能。这些特性使SiC材料适合制造高温、高功率及高频率电子器件时选用;也适合制造高温半导体TOKO压力传感器时选用。...
共创光伏是湖南省首家专业从事非晶、微晶硅叠层薄膜太阳能电池模组技术研究和产品制造以及光伏建筑一体化产品制造的企业。公司采用“甚高频等离子增强型化学气相沉积设备及工艺”成套技术,提升薄膜电池的光电转换效率与稳定性;以低铁高透光率玻璃等为基板,生产高效、无毒、无污染、低成本、弱光性好的电池模组。 ...
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