ASTM F419-94
ASTM F419-94
- 标准号
- ASTM F419-94
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F419-94
- 引用标准
- ASTM F110 ASTM F1392 ASTM F723 ASTM F95
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖硅外延层中载流子密度的测量。预期的精度取决于平行和垂直于结的载流子密度不均匀性以及载流子密度水平。
1.2 测量需要在外延层上或内形成肖特基或pn结二极管。从这个意义上说，该方法是破坏性的（但请参见 5.2）。
1.3 如果层厚度大于零偏压耗尽宽度的两倍加上结深（仅适用于扩散二极管），则可以在相同或相反类型的基板上评估 n 型和 p 型外延层（1）。 2 本试验方法也适用于散装材料。
1.4 该测试方法覆盖载流子密度范围为约 4 3 1013 至约 8 3 10 16 载流子/cm3（n型晶片的电阻率范围为约 0.1 至约 100 V·cm，电阻率范围为约 0.24 至约 330 V·cm）在 p 型晶圆中）。
1.5 本测试方法包括检查电容和电压测量设备的程序。
1.6 本测试方法提供了两种根据电容电压数据计算载流子密度的方法：增量法（12.3.1）和曲线拟合法（12.3.2）。注 1：测试方法 F 1392 中给出了确定外延层载流子密度的替代方法。该方法和相关方法 DIN 50 439 使用汞探针肖特基势垒接触，而不是制造的 pn 结或肖特基二极管。因此，通过测试方法 F 1392 和 DIN 50 439 进行的测量可能无法完全与通过该测试方法进行的测量进行比较。 DIN 50 439 也适用于砷化镓和硅。
1.7 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见 11.8 和 11.14。