ASTM F672-88(1995)e1
用分布电阻探头测量硅晶片垂直于表面的纵断面电阻率的标准试验方法
Standard Test Method for Measuring Resistivity Profiles Perpendicular to the Surface of a Silicon Wafer Using a Spreading Resistance Probe
- 标准号
- ASTM F672-88(1995)e1
- 发布
- 1988年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F672-01
- 当前最新
- ASTM F672-01
- 引用标准
- ASTM D1125 ASTM E1 ASTM F26 ASTM F374 ASTM F419 ASTM F42 ASTM F525 ASTM F674 ASTM F723 ASTM F84
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖垂直于已知方向和类型的硅片表面的电阻率分布的测量。注 1——本测试方法也可适用于其他半导体材料，但仅对硅和锗进行了可行性和精度评估。
1.2 本测试方法可用于外延膜、衬底、扩散层或离子注入层，或这些的任意组合。
1.3 该测试方法是比较性的，因为未知样品的电阻率分布是通过将其测量的铺展电阻值与已知电阻率的校准标准的测量值进行比较来确定的。这些校准标准必须具有与未知样品相同的表面处理、导电类型和晶体取向。
1.4 本测试方法适用于任何存在合适标准的电阻率范围的硅片。可以使用抛光、研磨或磨削的表面。
1.5 该测试方法具有破坏性，因为必须对样本进行斜切。
1.6 在使用校准之前需要考虑边界或局部电阻率随深度变化的影响的校正系数根据扩展电阻值计算电阻率的数据。注 2——该测试方法将方法 F525 扩展到深度剖面。 注 3——该测试方法提供了直接确定硅样品垂直于样品表面的电阻率分布的方法。与测试方法 F84、F374、F1392 和 F1393 不同，它可以提供几微米数量级的电阻率横向空间分辨率，以及 10 nm (100 A) 数量级的深度空间分辨率。该测试方法可用于通过 pn 结进行轮廓分析。
1.7 该测试方法主要是用于确定硅晶片中电阻率轮廓的测量。然而，常见的做法是将电阻率剖面信息转换为密度剖面。为此，附录 X2.1.8 中提供了电阻率和多数载流子密度之间的转换。本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。