JIS H0602-1995
用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法

Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe


JIS H0602-1995 中,可能用到以下仪器

 

JIS H0602-1995



标准号
JIS H0602-1995
发布日期
1995年11月01日
实施日期
废止日期
中国标准分类号
H82
国际标准分类号
29.045;77.120.99
发布单位
JP-JISC
适用范围
この規格は,シリコン単結晶(以下,単結晶という。)及びシリコンウェーハ(以下,ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は,P形は0.001~2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。




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