JIS H0602-1995
用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法

Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe

JIS H0602-1995 发布历史

この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。

JIS H0602-1995由日本工业标准调查会 JP-JISC 发布于 1995-11-01。

JIS H0602-1995 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料,77.120.99 其他有色金属及其合金。

JIS H0602-1995的历代版本如下：

• 1995年11月01日 JIS H0602-1995 用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法

标准号

JIS H0602-1995

发布日期

1995年11月01日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

H82

国际标准分类号

29.045;77.120.99

发布单位

JP-JISC

适用范围

この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。