JIS H0602-1995
用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法
Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe
说明：
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- 标准号
- JIS H0602-1995
- 发布日期
- 1995年11月01日
- 实施日期
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H82
- 国际标准分类号
- 29.045;77.120.99
- 发布单位
- JP-JISC
- 适用范围
- この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。