图2 单晶硅片中心缺陷分布 图3 单晶硅片边缘缺陷分布在实验过程中拍摄了一组比较典型的位错缺陷图片。对于位错来说,不同晶面上的位错坑的形态不一样。如硅单晶方向位错腐蚀坑的形状主要呈三角形腐蚀坑,晶面上呈正方形腐蚀坑,晶面呈立方体腐蚀坑,但很难看出。下面三幅图显示了不同方向的位错形态。 ...
螺型位错所引起的晶格畸变比刃型位错引起的晶格畸变要小得多,因此对声子的散射作用有限。然而,螺型位错能够引起材料能带结构的特殊变化,因此一定密度的螺型位错可能产生独特的热电特性。计算结果预测具有高密集螺型位错的铋锑合金的热电优值可以达到7,实验结果也发现具有螺型位错的铼掺杂n型二硒化钨具有高达700 μV K-1的绝对塞贝克系数。...
博士期间在研究淬火微观残余应力对7050铝合金过时效过程中亚晶界形成以及亚晶界演变的影响时,通过EBSD系统采集不同处理阶段的7050铝合金内的晶体取向信息,并基于采集的材料晶体学信息独立编写了一套位错密度的Matlab计算程序,实现了基于EBSD的位错密度统计。这种方法与光学位错腐蚀坑统计测量和TEM位错密度统计相比,具有统计范围大,统计精度高等优点。...
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