JEDEC JESD28-A-2001
测量DC压力下最大基层电流N-信道MOSFET Hot-Carrier-Induced降级

Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation under DC Stress

标准号

JEDEC JESD28-A-2001

发布

2001年

发布单位

(美国)固态技术协会,隶属EIA

 

 

适用范围

随着时间的推移，热载流子引起的 MOSFET 参数退化是现代微电路中一个重要的可靠性问题。高能载流子，也称为热载流子，是由漏极区附近的大沟道电场在 MOSFET 中产生的。电场将载流子加速到远高于晶格温度的有效温度。这些热载流子通过声子发射将能量转移到晶格并破坏 Si/SiO2 界面上的键。载流子也被注入到SiO 2 中并且可以被捕获在那里。捕获或键断裂会产生氧化物电荷和界面陷阱，从而影响沟道载流子迁移率和有效沟道电势。

JEDEC JESD28-A-2001相似标准