ASTM F980M-96(2003)
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices [Metric]
ASTM F980M-96(2003) 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- ASTM F980M-96(2003)
- 发布
- 1996年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F980-10
- 当前最新
- ASTM F980-16
- 引用标准
- ASTM E666 ASTM E720 ASTM E721 ASTM E722 ASTM F1032
- 许多太空、军事和核电系统中使用的电子电路可能会暴露于不同水平和时间分布的中子辐射。对于此类电路的设计和制造来说，必须有可用的测试方法来确定其中使用的组件的易损性或硬度（非易损性的度量）。对于暴露后的短期（100 秒）和长期（永久性损坏），通常需要测定硬度。1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和测试的要求和程序。用于因中子辐射引起的位移损坏而产生快速退火效...
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