ASTM F980M-96(2003)
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices [Metric]
ASTM F980M-96(2003) 发布历史
ASTM F980M-96(2003)由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 1996。
ASTM F980M-96(2003) 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合。
ASTM F980M-96(2003) 发布之时，引用了标准
- ASTM E666 计算γ或X射线吸收剂量的标准实施规程*， 1997-07-05 更新
- ASTM E720 电子辐射强度试验中中子波谱测定用中子激活箔的选择和应用标准指南
- ASTM E721 电子辐射强度试验用中子激活箔测定中子能谱的标准指南
- ASTM E722 确定电子辐射强度试验用等效单能级中子注量的能级中中子能量注量能谱的特征
- ASTM F1032 ASTM F1032-91
* 在 ASTM F980M-96(2003) 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
ASTM F980M-96(2003)的历代版本如下：
- 2016年 ASTM F980-16 硅半导体器件中子诱发位移损伤快速退火的标准指南
- 2010年 ASTM F980-10e1 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火的标准指南
- 2010年 ASTM F980-10 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南
- 1996年 ASTM F980M-96(2003) 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
- 1996年 ASTM F980M-96 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
- 1992年 ASTM F980-92 硅半导体器件中子诱发位移损伤的快速退火测量指南
许多太空、军事和核电系统中使用的电子电路可能会暴露于不同水平和时间分布的中子辐射。对于此类电路的设计和制造来说，必须有可用的测试方法来确定其中使用的组件的易损性或硬度（非易损性的度量）。对于暴露后的短期（100 秒）和长期（永久性损坏），通常需要测定硬度。
1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和测试的要求和程序。用于因中子辐射引起的位移损坏而产生快速退火效应的集成电路。该测试将导致受辐照设备的电气性能下降，应被视为破坏性测试。位移损坏的快速退火通常与双极技术相关。
1.2 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前咨询并建立适当的安全和健康实践，并确定监管限制的适用性。
- 标准号
- ASTM F980M-96(2003)
- 发布
- 1996年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F980-10
- 当前最新
- ASTM F980-16
- 引用标准
- ASTM E666 ASTM E720 ASTM E721 ASTM E722 ASTM F1032
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