ASTM F358-83(2002)
磷化砷化镓片的最大光致发光波长及其相应成分的试验方法
Standard Test Method for Wavelength of Peak Photoluminescence and the Corresponding Composition of Gallium Arsenide Phosphide Wafers
2008-07
- 标准号
- ASTM F358-83(2002)
- 发布
- 1983年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F358-83(2002)
- 引用标准
- ASTM D1125 ASTM E177 ASTM E275
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖了用于测定砷化镓磷化物 GaAs(1x)Px 的光致发光峰波长和摩尔百分比磷含量的技术。
1.2 光致发光测量仅表明在照明区域内且仅在非常大的范围内的成分。距表面的距离较短，该距离受到辐射穿透和光生载流子扩散长度的限制，与对更深体积进行采样的 X 射线测量相比。
1.3 该测试方法受到表面准备的限制应用于在平坦衬底上的气相反应器中生长的半导体外延层的程序。它直接适用于 n 型 GaAs(1x)Px，其光致发光峰的波长 PL 在 640 至 670 nm 范围内，对应于磷摩尔百分比在 36 至 42 % 范围内（ x = 0.36 至0.42）。为从 PL 测定 x 提供的校准数据适用于浓度范围为 1016 至 1018 个原子/cm3 的碲或硒掺杂材料。
1.4 该测试方法的原理具有更广泛的适用性。其他材料制备方法可能需要不同的表面处理。扩展到其他掺杂剂、掺杂范围或成分范围需要进一步的工作，将 PL 与磷含量联系起来，磷含量是通过对校准数据所基于的晶胞的精确尺寸进行 X 射线测量而确定的。校准样品在取样体积中具有均匀的成分是至关重要的。
1.5 该测试方法本质上是非破坏性的。它需要对待测量的样品进行光蚀刻。需要去除厚度约为 0.5 至 1.0 m 的材料层。这种蚀刻不会降低样品的质量，因为仍然可以用它来制造设备。
1.6 本测试方法适用于材料制备的过程控制和材料验收。
1.7 本标准并不旨在解决所有安全问题，如果有的话，与其使用相关。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 7 节。