ASTM F1190-18
中子照射无偏电子元件的标准指南
Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components
- 标准号
- ASTM F1190-18
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F1190-18
- 引用标准
- ASTM E1249 ASTM E1250 ASTM E1854 ASTM E1855 ASTM E2450 ASTM E264 ASTM E265 ASTM E668 ASTM E720 ASTM E721 ASTM E722 ASTM F1892 ASTM F980 MIL-STD-750 MIL-STD-883
- 适用范围
- 1.1 本指南严格仅适用于将无偏硅 (Si) 或砷化镓 (GaAs) 半导体元件（集成电路、晶体管和二极管）暴露于中子辐射以确定元件中的永久性损坏。国家标准中规定的经过验证的 1-MeV 位移损伤函数目前不适用于其他半导体材料。
1.2 本指南的内容（注明了偏差）也可能适用于由其他材料组成的半导体的暴露，但国家标准中规定的经过验证的 1-MeV 位移损伤函数目前尚不可用。
1.3 本指南仅讨论暴露条件。辐射对测试样品的影响应使用适当的电气测试方法来确定。
1.4 本指南解决与中子辐照有关的问题和关切。
1.5 本指南不包括系统和子系统的暴露和测试方法。
1.6 位移损伤半导体测试中中子注量的关注范围约为 109 至 1016 1-MeV n/cm2。
1.7 本指南不涉及中子引起的单个或多个中子事件效应或瞬态退火。
1.8 本指南提供了测试方法 1017 的替代方法，即中子位移测试，它是 MIL-STD-883 和 MIL-STD-750 的组成部分。
1.9 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。
1.10 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。