GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicom
2021-12
GB/T 1551-2009 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 1551-2009
- 发布
- 2009年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 1551-2021
- 当前最新
- GB/T 1551-2021
- 被代替标准
- GB/T 1551-1995 GB/T 1552-1995
- 适用范围
- 本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。
本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10
Ω•cm～3×10 Ω•cm。