GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicom
GBT1551-2009, GB1551-2009
2021-12
GB/T 1551-2009 发布历史
GB/T 1551-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施，于 2021-12-01 废止。
GB/T 1551-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 1551-2021 。
GB/T 1551-2009 采用标准及采用方式
- MOD SEMI MF 397-1106
- MOD SEMI MF 84-1105
GB/T 1551-2009的历代版本如下：
- 2021年 GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
- 2009年 GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
- 1995年 GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法 由 GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法 变更而来。
本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。 本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10Ω•cm～3×10Ω•cm。
- 标准号
- GB/T 1551-2009
- 别名
- GBT1551-2009
GB1551-2009 - 发布
- 2009年
- 采用标准
- SEMI MF 397-1106 MOD
- SEMI MF 84-1105 MOD
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 1551-2021
- 当前最新
- GB/T 1551-2021
- 被代替标准
- GB/T 1551-1995 GB/T 1552-1995