GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicom
哪些标准引用了GB/T 1551-2009
GB/T 29055-2012太阳电池用多晶硅片GB/T 29508-2013300mm 硅单晶切割片和磨削片GB/T 29054-2012太阳能级铸造多晶硅块GB/T 1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 4059-2007硅多晶气氛区熔基磷检验方法GB/T 4060-2007硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T 11069-2006高纯二氧化锗GB/T 11070-2006还原锗锭GB/T 25074-2010太阳能级多晶硅GB/T 12962-2005硅单晶GB/T 29504-2013300mm 硅单晶YS/T 719-2009平面磁控溅射靶材.光学薄膜用硅靶YS/T 840-2012再生硅料分类和技术条件YS/T 1061-2015改良西门子法多晶硅用硅芯
- 标准号
- GB/T 1551-2009
- 发布日期
- 2009年10月30日
- 实施日期
- 2010年06月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-GB
- 被代替标准
- GB/T 1551-1995 GB/T 1552-1995
- 适用范围
- 本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。
本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10
Ω•cm～3×10 Ω•cm。