GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion


GB/T 4061-2009 发布历史

本标准规定了以三氯氢硅和四氯氢硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯氢硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

GB/T 4061-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30,并于 2010-06-01 实施。

GB/T 4061-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 4061-2009的历代版本如下:

  • 1983年12月20日 GB/T 4061-1983 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
  • 2009年10月30日 GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 由 GB/T 4061-1983 变更而来。

GB/T 4061-2009



标准号
GB/T 4061-2009
发布日期
2009年10月30日
实施日期
2010年06月01日
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
被代替标准
GB/T 4061-1983
适用范围
本标准规定了以三氯氢硅和四氯氢硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯氢硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

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