GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
GBT4061-2009, GB4061-2009
- 标准号
- GB/T 4061-2009
- 别名
- GBT4061-2009, GB4061-2009
- 发布
- 2009年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 4061-2009
- 被代替标准
- GB/T 4061-1983
- 适用范围
- 本标准规定了以三氯氢硅和四氯氢硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯氢硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
GB/T 4061-2009相似标准
推荐
这就是你一直在寻找的理想制样设备 | 离子研磨仪
图2 离子研磨原理离子研磨前（多晶三元材料）离子研磨后（多晶三元材料）将多晶三元材料通过离子研磨仪切割后，可以有效观察到颗粒内部的真实情况，观察颗粒内部的晶粒结构和晶相组成。正极材料未循环正极材料循环30圈随着镍含量的增加，裂纹的产生和扩展现象加剧，高 Ni 含量的正极材料的裂纹延伸到表面，电解液可以沿着裂纹渗入到颗粒的内部，在一次颗粒的表面生成 NiO 相，加速电池电化学性能的恶化。...
半导体专业术语含义
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。...