太赫兹光基本能够完全穿透纯硅和其他半导体材料,唯一会吸收这种光的是自由移动的载流子。因此材料中的自由电子和空穴越多,穿透的光线就越少。为了观察新方法与传统霍尔技术的对比情况,NIST团队对多种晶片和晶体样本进行了实验,这些样本均在市场上有售,并且业界也在积极研究中。样品包括纯硅晶片和掺有各种杂质的硅晶片,以及锗片和碲化锌、砷化镓和磷化镓的晶体。...
使用DLSA制备的CNT阵列的初步演示表明,这些CNT阵列FETs和集成电路在几个关键性能指标中的性能优于具有相似特征长度的硅技术。(文:Caspar) 本文来自微信公众号“材料科学与工程”。欢迎转载请联系,未经许可谢绝转载至其他网站。推荐阅读:巧!北航矿大都设计1.1GPa高性能钛合金实用!...
01Semicon China 2021展期:2021年3月17日-19日展馆:上海新国际博览中心地址:上海市浦东新区龙阳路2345号展位号:N3-3137马尔文帕纳科半导体行业薄膜测量解决方案展位号 N3-3137多年来,电子行业在硅半导体、数据存储、随机存取存储器(RAM)、集成电路(IC)和RF射频滤波器技术的支持下迅速发展,这些器件大多在硅晶片基板上采用多层薄膜。...
电力电子是交通、智能电网、新一代通信电气化的一项关键技术,它将帮助英国实现绿色复苏和净零的宏愿,并为提升议程做出贡献。从硅到宽带隙化合物半导体(氮化镓、碳化硅和后来的氧化镓)的转变促进了新一代电力电子设备的发展。这些材料在效率、重量、高频和高温性能方面具有极大的性能优势。然而,它们对纳米级材料缺陷的敏感性阻碍了升级以及被更广泛采用的可能性。...
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