GB/T 25188-2010
硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
GB/T 25188-2010 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- GB/T 25188-2010
- 发布日期
- 2010年09月26日
- 实施日期
- 2011年08月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- G04
- 国际标准分类号
- 71.040.40
- 发布单位
- CN-GB
- 引用标准
- GB/T 22461 GB/T 19500 GB/T 21006 GB/T 22571
- 适用范围
- 本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。