GB/T 25188-2010
硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
GBT25188-2010, GB25188-2010
GB/T 25188-2010 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 25188-2010
- 别名
- GBT25188-2010
GB25188-2010 - 发布
- 2010年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 25188-2010
- 引用标准
- GB/T 19500 GB/T 21006 GB/T 22461 GB/T 22571
- 本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
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