GB/T 25188-2010
硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
GBT25188-2010, GB25188-2010
GB/T 25188-2010 发布历史
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
GB/T 25188-2010由国家质检总局 CN-GB 发布于 2010-09-26，并于 2011-08-01 实施。
GB/T 25188-2010 在中国标准分类中归属于: G04 基础标准与通用方法，在国际标准分类中归属于: 71.040.40 化学分析。
GB/T 25188-2010 发布之时，引用了标准
- GB/T 19500 X射线光电子能谱分析方法通则
- GB/T 21006 表面化学分析 X射线光电子能谱仪和俄歇电子能谱仪 强度标的线性
- GB/T 22461 表面化学分析.词汇
- GB/T 22571 表面化学分析 X射线光电子能谱仪 能量标尺的校准*， 2017-09-07 更新
* 在 GB/T 25188-2010 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
GB/T 25188-2010的历代版本如下：
- 2010年 GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
- 标准号
- GB/T 25188-2010
- 别名
- GBT25188-2010
GB25188-2010 - 发布
- 2010年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 25188-2010
- 引用标准
- GB/T 19500 GB/T 21006 GB/T 22461 GB/T 22571