GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
GBT14847-2010, GB14847-2010
GB/T 14847-2010 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 14847-2010
- 别名
- GBT14847-2010
GB14847-2010 - 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 14847-2010
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 1552 GB/T 6379.2
- 被代替标准
- GB/T 14847-1993
- 本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试 0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。
GB/T 14847-2010相似标准
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