GB/T 14847-1993
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test method for thickness of lightly doped silicon eqitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
GBT14847-1993, GB14847-1993
2011-10
- 标准号
- GB/T 14847-1993
- 别名
- GBT14847-1993, GB14847-1993
- 发布
- 1993年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 14847-2010
- 当前最新
- GB/T 14847-2010
- 适用范围
- 本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。
GB/T 14847-1993相似标准
推荐
碳化硅外延层厚度及其均匀性的无损检测——红外显微系统
仪器测试原理：衬底与外延层因掺杂浓度不同而导致的不同折射率，红外光入射到外延层后，一部分从衬底表面反射回来，一部分从外延层表面反射出来，这两束光在一定条件下会产生干涉条纹，根据干涉条纹的数量、折射率以及红外光入射角可以计算出外延层的厚度d（原理示意图如下）。...
提高薄膜太阳能电池效率的方法
外延薄膜硅太阳能电池具有成为体硅太阳能电池的低成本替代方案的潜力。与当前的体硅太阳能电池（200μm）相比，这种丝网印刷太阳能电池采用的衬底较便宜和有源硅层较薄（20μm）。这种低成本衬底包括高掺杂的晶体硅晶圆（用冶金级硅或废料加工的纯净硅）。用化学气相沉积法（CVD）在这种衬底上沉积一层外延有源硅薄层。 产业竞争力 外延薄膜硅太阳能电池的生产工艺与传统的体硅太阳能电池非常相似。...
傅里叶红外光谱仪在第三代Sic半导体应用
磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层 厚度分析 VERTEX 系列光谱仪可用于测量半导体层状结构 中的层厚度，精度极高。此应用是基于对红外光 在层状结构中产生的光干涉效应的分析，可用于 亚微米量级至毫米量级的厚度分析。 用反射或透射实验分析层厚度。 专用的分析软件，用于分析复杂的层状结构。...
基于傅立叶变换红外光谱法的外延层厚度高精度无损分析
不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰，在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法（FTIR）。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度，无论硅基还是化合物半导体，且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析，结合基础的物理自洽拟合模型，充分利用所测得的光谱特征，拟合计算给出准确的层厚厚度值。...