因为MOS器件的阈值电压由衬底材料和栅材料功函数的差异决定的,多晶硅很好地解决了CMOS技术中的NMOS和PMOS阈值电压的调节问题。如图1.13(b)所示,是多晶硅栅的MOS管结构图。1.3Polycide技术多晶硅栅的缺点是电阻率高,虽然可以通过重掺杂来降低它的电阻率,但是它的电阻率依然很高,厚度3K埃米的多晶硅的方块电阻高达36ohm/sq。...
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。1、线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。2、开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。...
当源漏电压很大时,它会对栅电压产生影响,使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱,半导体表面反型层 中电子由源端到漏端逐渐减小,沟道电阻随着源漏电压增大而增加.漏电流增加变得缓慢,对应线性区向饱和区过 渡.当源漏电压增到一定程度,漏端反型层厚度减为零,电压在增加,器件进入饱和区.在实际 LCD 生产中,主 要利用 a-Si:H TFT 的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电,利用关态来保持像素电容的电压...
新型电子元器件制造:片式元器件、敏感元器件及传感器、频率控制与选择元件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、新型机电元件、超级电容器和无源集成元件、高密度互连积层板、多层挠性板、刚挠印刷电路板及封装载板 15. 触控系统(触控屏幕、触控组件等) 16....
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