GB/T 2881-2014
工业硅

Silicon metal

GBT2881-2014, GB2881-2014

2024-07

GB/T 2881-2014 发布历史

GB/T 2881-2014由国家质检总局 CN-GB 发布于 2014-12-05,并于 2015-08-01 实施,于 2024-07-01 废止。

GB/T 2881-2014 在中国标准分类中归属于: H81 半金属,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 2881-2014 工业硅的最新版本是哪一版?

最新版本是 GB/T 2881-2023

GB/T 2881-2014 发布之时,引用了标准

  • GB/T 14849.1 工业硅化学分析方法 第1部分:铁含量的测定*2020-03-06 更新
  • GB/T 14849.10 工业硅化学分析方法 第10部分:汞含量的测定 原子荧光光谱法*2017-07-01 更新
  • GB/T 14849.11 工业硅化学分析方法 第11部分:铬含量的测定 二苯碳酰二肼分光光度法*2017-07-01 更新
  • GB/T 14849.2 工业硅化学分析方法 第2部分:铝含量的测定 铬天青-S分光光度法
  • GB/T 14849.3 工业硅化学分析方法 第3部分:钙含量的测定*2020-03-06 更新
  • GB/T 14849.4 工业硅化学分析方法 第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
  • GB/T 14849.5 工业硅化学分析方法 第5部分:杂质元素含量的测定 X射线荧光光谱法
  • GB/T 14849.6 工业硅化学分析方法 第6部分:碳含量的测定 红外吸收法
  • GB/T 14849.7 工业硅化学分析方法 第7部分:磷含量的测定 磷钼蓝分光光度法*2015-09-11 更新
  • GB/T 14849.8 工业硅化学分析方法 第8部分:铜含量的测定 原子吸收光谱法*2015-09-11 更新
  • GB/T 14849.9 工业硅化学分析方法 第9部分:钛含量的测定 二安替吡啉甲烷分光光度法*2015-09-11 更新
  • GB/T 8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定

* 在 GB/T 2881-2014 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。

GB/T 2881-2014的历代版本如下:

 

本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)的内容。本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。

GB/T 2881-2014

标准号
GB/T 2881-2014
别名
GBT2881-2014
GB2881-2014
发布
2014年
发布单位
国家质检总局
替代标准
GB/T 2881-2023
当前最新
GB/T 2881-2023
 
 
引用标准
GB/T 14849.1 GB/T 14849.10 GB/T 14849.11 GB/T 14849.2 GB/T 14849.3 GB/T 14849.4 GB/T 14849.5 GB/T 14849.6 GB/T 14849.7 GB/T 14849.8 GB/T 14849.9 GB/T 8170
被代替标准
GB/T 2881-2008

GB/T 2881-2014相似标准


推荐

应用报告 | 第二代 S8 TIGER 分析工业硅中的杂质元素含量-依据GB/T 14849.5

1介绍工业硅含有98%以上的Si,以及Fe、Al、Ca等杂质成分。是生产多晶硅、铝硅合金、硅铁、有机硅等产品的主要原料。多晶硅是光伏、半导体的基础材料,纯度在6N以上,因此对工业硅的杂质提出了更高的要求。X射线荧光光谱法可直接分析固体样品,省却了其他分析方法的样品消解、去硅等繁琐制样步骤,正在成为工业硅中杂质元素的主要分析方法。...

Plasma 3000型和Plasma 2000型电感耦合等离子体发射光谱仪测定工业硅中杂质元素含量

关键词Plasma 3000,Plasma 2000,工业硅,耐氢氟酸进样系统国家产品标准GB/T2881-2014《工业硅》中规定,检测工业硅中杂质元素采用电感耦合等离子体发射光谱仪测定。本实验参照标准GB/T14849.4-2014《工业硅化学分析方法第四部分:杂质元素含量测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法》测定工业硅中铝、铬、钙、硼、铜、铁、镁、镍、锰、磷、钠、钛的元素含量。...

工业硅酸钠中氧化钠和二氧化硅含量的测定

工业硅酸钠分为固体工业硅酸钠和液体工业硅酸钠,固体硅酸钠主要用于制造液体硅酸钠,液体硅酸钠主要用于化工原料、填充料、粘结剂、助剂、防腐剂等。因此其品质等级对应用起到了决定作用,如何高效快速的检测其含量指标是生产厂家非常关心的问题。...

工业硅片上长出“完美”二维超薄材料

  据发表在最新一期《自然》杂志上的论文,美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法,在工业硅晶圆上生长出纯净的、无缺陷的二维材料,以制造越来越小的晶体管。  根据摩尔定律,自20世纪60年代以来,微芯片上的晶体管数量每年都会翻一番。但这一趋势预计很快就会趋于平缓,因为用硅制成的器件一旦低于一定的尺寸,就会失去其电性能。  在纳米尺度上,二维材料可比硅更有效地传导电子。...


谁引用了GB/T 2881-2014 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号