SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法

Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide

SJ/T 11499-2015 发布历史

本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15~426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10 Ω·cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。

SJ/T 11499-2015由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2015-04-30，并于 2015-10-01 实施。

SJ/T 11499-2015 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

SJ/T 11499-2015的历代版本如下：

• 2015年04月30日 SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

标准号

SJ/T 11499-2015

发布日期

2015年04月30日

实施日期

2015年10月01日

废止日期

无

中国标准分类号

H83

国际标准分类号

29.045

发布单位

CN-SJ

适用范围

本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15~426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10⁵ Ω·cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。

SJ/T 11499-2015 中可能用到的仪器设备