SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
SJT11499-2015, SJ11499-2015
- 标准号
- SJ/T 11499-2015
- 别名
- SJT11499-2015, SJ11499-2015
- 发布
- 2015年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ/T 11499-2015
- 适用范围
- 本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15~426.85)℃温度范围内,电阻率在1×105 Ω·cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。
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