这种通过高温退火工艺所制备的半绝缘晶片既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性,同时铁浓度大幅降低,电学性质、均匀性和一致性显著提高。目前半绝缘类型 InP 衬底的生产质量亟待改善和提高。 原生半绝缘 InP 是通过在单晶生长过程中掺入铁原子来制备的。为了达到半绝缘化的目的,铁原子的掺杂浓度较高,高浓度的铁很可能会随着外延及器件工艺过程发生扩散。...
针对直拉单晶硅中杂质元素以及氮氧复合体的测量,布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温硅质量控制分析系统,通过测试位于中/远红外波段间隙氧(1136.3cm-1, 1205.6cm-1)[7],代位碳(607.5cm-1)[6,7],III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带(249.8,240.4cm-1[1,2]),通过直接或间接计算获得相应元素含量值。...
海特高新子公司海威华芯建立了国内一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线。据称,其技术指标达到国外同行业先进水平,部分产品已经实现量产。赛微电子涉及第三代半导体业务,主要包括GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计。三安光电在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,目前项目正处于建设阶段。...
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