GB/T 19199-2015
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

Test methods for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

GBT19199-2015, GB19199-2015


GB/T 19199-2015


标准号
GB/T 19199-2015
别名
GBT19199-2015
GB19199-2015
发布
2015年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 19199-2015
 
 
引用标准
GB/T 14264
被代替标准
GB/T 19199-2003
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于106Ω ? cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围:室温下从1.0 × 1015 atoms/cm3到代位碳原子的最大溶解度,77 K时检测下限为4.0×1014 a...

GB/T 19199-2015相似标准


推荐

浅析适用于射频微波等高频电路半导体材料及工艺 -1

这种通过高温退火工艺所制备绝缘晶片既保持了传统原生掺铁衬底高阻特性,同时铁浓度大幅降低,电学性质、均匀性和一致性显著提高。目前半绝缘类型 InP 衬底生产质量亟待改善和提高。    原生绝缘 InP 是通过在单晶生长过程掺入铁原子来制备。为了达到绝缘目的,铁原子掺杂浓度较高,高浓度铁很可能会随着外延及器件工艺过程发生扩散。...

掺氮直拉单晶硅(Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si)低温远红外测量

针对直拉单晶杂质元素以及氮氧复合体测量,布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温硅质量控制分析系统,通过测试位于/远红外波段间隙氧(1136.3cm-1, 1205.6cm-1)[7],代位(607.5cm-1)[6,7],III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带(249.8,240.4cm-1[1,2]),通过直接或间接计算获得相应元素含量值。...

独家 | 7月起,这些新规将影响你实验

 GB/T 1910-2015 新闻纸 GB/T 19199-2015 绝缘单晶浓度红外吸收测试方法 GB/T 19341-2015 育果袋纸 GB/T 19769.1-2015 功能块 第1部分:结构 GB/T 19769.2-2015 功能块 第2部分:软件工具要求 GB/T 19769.4-2015 功能块 第4部分:一致性行规指南 GB/T 19835-2015 自限温电伴热带...

国标委发布296项国家标准

2016-07-01103GB/T 18987-2015放射治疗设备 坐标、运动与刻度GB/T 18987-20032017-07-01104GB/T 19199-2015绝缘单晶浓度红外吸收测试方法GB/T 19199-20032016-07-01105GB 19577-2015冷水机组能效限定值及能效等级GB 19577-20042017-01-01106GB/T 19633.1-...


GB/T 19199-2015 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号