GB 13539.4-1992
低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

2006-04

GB 13539.4-1992 发布历史

GB 13539.4-1992由国家质检总局 CN-GB 发布于 1992-07-01,并于 1993-03-01 实施。

GB 13539.4-1992 在中国标准分类中归属于: K31 低压配电电器,在国际标准分类中归属于: 29.120.50 熔断器和其他过载保护装置。

GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求的最新版本是哪一版?

最新版本是 GB/T 13539.4-2016

GB 13539.4-1992的历代版本如下:

  • 2016年 GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
  • 2009年 GB/T 13539.4-2009 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
  • 2005年 GB/T 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求
  • 1992年 GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求

GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求 于 2005-08-03 变更为 GB/T 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求。

 

本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、It特性、电弧电压特性、试验和标志。 本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。 注:①在多数情况下,以组合设备的一部分作为熔断体的底座。由于设备种类繁多,难以作出一般的规定。组合设备是否适合用作熔断体的底座,应由用户与制造厂协商。但是,当采用独立的熔断器底座或支持件时,则它们应符合GB13539.1的有关规定。 ②这种熔断体通常称为“半导体熔断体”。

GB 13539.4-1992

标准号
GB 13539.4-1992
发布
1992年
发布单位
国家质检总局
替代标准
GB/T 13539.4-2005
当前最新
GB/T 13539.4-2016
 
 

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