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半炭化

半炭化は全部で 12 項標準に関連している。

半炭化 国際標準分類において、これらの分類：無機化学、 半導体材料、 金属材料試験、 導体材料、 体積、質量、密度、粘度の測定、 有機化学、 半導体ディスクリートデバイス、 電子および通信機器用の電気機械部品。

RU-GOST R, 半炭化

• GOST 5535-1976 セミコークス系浸炭剤 仕様

Professional Standard - Electron, 半炭化

• SJ/T 11864-2022 半絶縁性炭化珪素単結晶基板

Group Standards of the People's Republic of China, 半炭化

• T/IAWBS 013-2019 半絶縁性炭化珪素枚葉ウェーハの非接触抵抗率測定方法
• T/ZZB 2283-2021 半導体グレード炭化ケイ素単結晶用超高純度黒鉛粉末
• T/CASAS 009-2019 二次イオン質量分析による半絶縁性炭化ケイ素材料中の微量不純物濃度と分布の検出方法
• T/ZJATA 0017-2023 炭化ケイ素半導体材料を製造するための化学気相成長 (CVD) エピタキシャル装置

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半炭化

• GB/T 42271-2022 半絶縁性炭化珪素単結晶の比抵抗の非接触検査方法

American Society for Testing and Materials (ASTM), 半炭化

• ASTM UOP1025-18 粘性液体および半固体炭化水素の密度は窒素に置き換えられます。

British Standards Institution (BSI), 半炭化

• BS IEC 63229:2021 半導体デバイス用炭化珪素基板上の窒化ガリウムエピタキシャル膜の欠陥分類
• 18/30386543 DC BS EN 63229 Ed.1.0 半導体デバイス用炭化ケイ素基板上の窒化ガリウムエピタキシャルウェーハの欠陥の分類

International Electrotechnical Commission (IEC), 半炭化

• IEC 63229:2021 半導体デバイス 炭化ケイ素基板上の窒化ガリウムエピタキシャル膜の欠陥の分類

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 半炭化

• DB61/T 1250-2019 Sic (炭化ケイ素) 材料の半導体ディスクリートデバイスの一般仕様

その他：   半炭化, ハフニウムカーバイド, 炭化ホウ素, プレ炭化, 高炭化, 高温炭化, 炭化, 炭化揮発, 炭化後, 高温炭化, 材料の炭化, ニトロ炭化, 金属の炭化, 炭化窒素+, 炭化+, 炭化リン, 前炭化, 炭化機, ニトロ炭化, 炭化タンタル.