양극편

모두 500항목의 양극편와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 양극편와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 배터리 및 축전지, 철강 제품, 분말 야금, 진공 기술, 도체 재료, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 반도체 소재, 반도체 개별 장치, 공작 기계, 품질, 야금 장비, 전자관, 전자 디스플레이 장치, 광전자공학, 레이저 장비, 전기공학종합, 무기화학, 비철금속 제품, 항공우주 시스템 및 운영 장치, 칩리스 처리 장비, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 전등 및 관련 기기, 상품의 종합 포장 및 운송, 전기 장비 부품, 종합 전자 부품, 저항기, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 분석 화학, 쓰레기, 용접, 브레이징 및 저온 용접, 금속 부식, 방사선 측정, 어휘, 비철금속, 정보 기술 응용, 환경 보호, 유연한 전송 및 전송, 의료 장비, 검사, 수리 및 테스트 장비, 무선 통신, 광학 및 광학 측정, 건물 구조, 데이터 저장 장치, 콘덴서, 에너지 및 열 전달 공학 종합, 잠그는 물건, 항공우주 제조용 재료.

Group Standards of the People's Republic of China, 양극편

T/ZZB 1302-2019 리튬이온전지 양극/음극 수성 바인더
T/QGCML 306-2022 나트륨이온전지 양극재
T/SSEA 0202-2022 리튬 배터리 극 조각 압연기 롤
T/QDAS 050-2020 다이오드 확산기 연구 및 개발 절차
T/ZZB 2408-2021 리튬전지 양극재용 수산화나트륨
T/HBZXL 011-2023 배터리 폴 피스 롤러 프레스 기술 조건
T/CAS 455-2020 리튬이온 배터리 자동 전극 스크레이퍼 코팅기
T/QGCML 097-2021 다이오드 디퓨저 패키징 기술 사양
T/QGCML 030-2020 다이오드 디퓨저의 일반 전기 표준
T/CEMIA 028-2022 칩 저항기용 표면 전극 페이스트 사양
T/CEMIA 027-2022 칩 저항기용 후면 전극 페이스트 사양
T/SSEA 0201-2022 리튬 배터리 폴 피스 압연기용 롤 블랭크
T/FSYY 0048-2021 폐리튬전지 전처리 제품 양극재 분말
T/QGCML 2162-2023 리튬철인산염 양극재 생산라인 사양 요구사항
T/DCB 003-2023 리튬이온 배터리 양극재 리튬철망간인산염
T/ZZB 1912-2020 적층 칩 세라믹 커패시터 전극 니켈 분말
T/CASME 901-2023 리튬 배터리 극 조각 펀칭 금형에 대한 기술 요구 사항
T/CEMIA 031-2022 유기발광다이오드 디스플레이용 포지티브 젤 현상액
T/CIAPS 0029-2023 리튬이온 배터리용 리튬철망간인산염 양극재
T/QDAS 070-2021 다이오드 디퓨저 붕소 확산 액체 소스 공식
T/COEMA 004LCD-2022 TV용 유기발광다이오드(OLED) 편광판
T/ZZB 2332-2021 발광 다이오드용 사파이어 기판 연마
T/CIET 264-2023 리튬이온전지 양극재 기업 탄소경영 가이드
T/CAB 0265-2023 폐인산철리튬 양극재 수리를 위한 기술 요구 사항
T/CEEIA 506-2021 리튬이온전지 양극재 녹색공장 평가요건
T/FSYY 0035-2021 탄소 배출 저감 공정 기술 사양 리튬이온 배터리 양극재
T/DCB 004-2023 나트륨이온전지 양극재 제1부: 분류 및 명칭
T/ZZB 2407-2021 단결정 양극재용 니켈-코발트-망간 3원 복합 수산화물
T/QGCML 654-2023 리튬인산철 신에너지 발전전지 양극재용 특수철
T/DZJN 184-2023 리튬이온전지 폐양극재 재생공정 기술요구사항
T/SQIA 058-2023 리튬전지 양극 및 음극 기능성 소재에 대한 탄소발자국 평가 기술 요구사항
T/GERS 0036-2023 고속 충전 리튬이온 배터리용 양극재 기술 사양
T/COEMA 003LCD-2022 중소형 유기발광다이오드(OLED) 디스플레이용 편광판
T/DZJN 114-2022 폐 리튬이온 배터리 전극 재료 재활용을 위한 기술 사양
T/WHAS 050-2023 양극성 전기응고 겸자 블레이드의 성형 및 제조 공정 사양
T/GDBIA 06-2023 리튬이온 배터리용 삼원계 양극재 안전성 시험 기술규격
T/CIAPS 0026-2023 배터리 산업의 에너지 효율 벤치마킹을 위한 구현 지침 3부 양극재
T/DCB 007-2023 나트륨 이온 배터리용 양극 재료 4부: 전이 금속 산화물
T/FSYY 0027-2021 리튬 이온 배터리 양극재에 대한 제품 탄소 배출량 계산 및 보고 요구 사항
T/FSYY 0036-2021 탄소 배출 저감 공정 기술 사양 리튬이온 배터리 양극재 전구체
T/DCB 006-2023 나트륨이온전지 양극재 3부: 프러시안 블루 화합물
T/DCB 005-2023 나트륨이온전지 양극재 2부: 다중음이온 화합물
T/FSYY 0028-2021 리튬이온 배터리 양극재 전구체에 대한 제품 탄소 배출량 계산 및 보고 요구 사항
T/FSYY 0037-2021 리튬이온 배터리 양극재 제조업체의 탄소 배출 계산 방법 및 보고 요구 사항
T/DZJN 112-2022 리튬이온전지 복합양극재 그린디자인 제품 평가 기술기준
T/DZJN 216-2023 리튬이온 배터리 제품의 탄소 배출량 평가 지침 2부: 음극재-인산철리튬

Defense Logistics Agency, 양극편

DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 미세 회로, 선형, 전압 조정기, 15V, 포지티브, 고정, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 초소형 회로, 선형, 전압 조정기, 5V, 양극, 고정, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 마이크로회로, 선형, 전압 조정기, 포지티브, 20V 고정, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 미세 회로, 선형, 전압 조정기, 포지티브, 조정 가능, 저드롭아웃, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 미세 회로, 선형, 전압 조정기, 포지티브, 조정 가능, 저드롭아웃, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 미세 회로, 선형, 전압 조정기, 포지티브, 조정 가능, 저드롭아웃, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 미세 회로, 선형, 전압 조정기, 포지티브, 조정 가능, 저드롭아웃, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 미세 회로, 선형, 포지티브, 조정 가능, 저드롭아웃, 전압 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 미세 회로, 선형, 조정 가능한 포지티브, 저드롭아웃, 전압 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 미세 회로, 선형, 조정 가능, 포지티브, 저드롭아웃, 전압 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 미세 회로, 선형, 조정 가능, 포지티브, 저드롭아웃, 전압 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-05219 REV D-2011 미세 회로, 하이브리드, 이중 전압 조정기, 포지티브 및 네거티브, 조정 가능
DLA SMD-5962-09206-2009 미세 회로, 하이브리드, 전압 조정기, 양극 및 음극, 조정 가능
DLA SMD-5962-09206 REV A-2012 미세 회로, 하이브리드, 전압 조정기, 양극 및 음극, 조정 가능
DLA SMD-5962-05219 REV C-2008 미세 회로, 하이브리드, 이중 전압 조정기, 포지티브 및 네거티브, 조정 가능
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 저전력 Shawkent 트랜지스터, 포지티브 NAND 게이트 및 단일 실리콘 다이를 갖춘 고급 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 모놀리식 실리콘 선형 마이크로회로 양극을 위한 5V 조정 가능한 정밀 전압 레퍼런스
DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 모놀리식 실리콘 선형 미세 회로 포지티브 고정 2.5V 저드롭아웃 전압 조정기
DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 고정 양극이 있는 모놀리식 실리콘 선형 마이크로 회로 3.3V 저드롭아웃 전압 조정기
DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 고정 양극이 있는 모놀리식 실리콘 선형 마이크로 회로 5V 저드롭아웃 전압 조정기
DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 실리콘 모놀리식 양극 10 볼트 조정가능한 정밀 전압 기준 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-88677 REV B-2004 실리콘 모놀리식 4비트 양극 마이크로프로세서 칩
DLA SMD-5962-09201-2009 미세 회로, 하이브리드, 이중 전압 조정기, 포지티브 및 네거티브, 저드롭아웃, 조정 가능
DLA SMD-5962-09201 REV A-2009 미세 회로, 하이브리드, 이중 전압 조정기, 포지티브 및 네거티브, 저드롭아웃, 조정 가능
DLA MS90311 REV K (1)-2010 스위치, 토글, 포지티브 브레이크, 마이크로 토글 씰, 납땜 러그, 양극, .469 실장 슬리브
DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 실리콘 모놀리식 바이폴라 고성능 10비트 버퍼링 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-10213-2012 초소형 회로, 하이브리드, 이중 전압 조정기, 3Amp, 포지티브 및 네거티브, 저드롭아웃, 조정 가능
DLA SMD-5962-10213 REV A-2013 초소형 회로, 하이브리드, 이중 전압 조정기, 3Amp, 포지티브 및 네거티브, 저드롭아웃, 조정 가능
DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 이중 포지티브 및 네거티브 15V, 12V 및 5V 조정기 선형 하이브리드 마이크로회로
DLA SMD-5962-11231-2011 미세 회로, 하이브리드, 선형, 포지티브, 스위치, 전압 조정기
DLA MS21351 REV G-2011 스위치, 토글, 포지티브 브레이크, 특수 회로, 소형 토글 씰, 납땜 러그, 단극, .469 장착 슬리브
DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 마이크로회로, 디지털, 4비트 양극 마이크로프로세서 칩, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 3상태 순방향 출력, 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 버스 트랜시버
DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 실리콘 모놀리식 양극 클록 발생기/마이크로사이클 길이 제어 양극형 디지털 마이크로회로
DLA DSCC-DWG-04052-2006 다중 양극 폴리머 탄탈륨 칩 고정 커패시터
DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, TTL, 디코더 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, TTL, 카운터 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 미세회로, 디지털, 양극, BCD 카운터 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-13203-2013 미세 회로, 하이브리드, 전압 조정기 초저드롭아웃, 포지티브, 조정 가능
DLA SMD-5962-13203 REV A-2013 미세 회로, 하이브리드, 전압 조정기 초저드롭아웃, 포지티브, 조정 가능
DLA MIL-M-38510/210 F-2013 마이크로 회로, 디지털, 16,384비트 쇼트키 다이오드, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(PROM), 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/03658 REV A-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 쿼드 2입력 포지티브 또는 TTL 호환 입력이 있는 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 초소형 회로, 디지털, 32,768비트 쇼트키 다이오드, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(PROM), 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/161 A-2005 모놀리식 실리콘 바이폴라 TTL 일반 OR 게이트 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 실리콘 모놀리식 선입선출 편광 디지털 마이크로회로
DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, TTL, Nand 버퍼 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 초소형 회로, 디지털, 양극성, 프로그래밍 가능 논리, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 디지털, 양극 프로그래밍 가능 논리, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 미세회로, 디지털, 양극, D-레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 초소형 회로, 디지털, 양극성, 고속 레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 마이크로회로, 디지털, 양극, 버퍼 레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 미세회로, 디지털, 양극, TTL, NAND 버퍼 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 마이크로회로, 디지털, 양극성 ALS TTL, 디코더, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88730 REV B-2008 모놀리식 실리콘 쿼드 2 입력 개선된 쇼트키 TTL 쿼드 2 입력 포지티브 OR 드라이버 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 실리콘 모놀리식 듀얼 JK 포지티브 에지 트리거 고속 보완 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-99551 REV B-2007 미세회로, 선형, 방사선 강화, 양극, 전압 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-85065 REV A-1988 실리콘 모놀리식 프로그래밍 가능 논리, 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 실리콘 모놀리식 버퍼 카운터 양극화 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88515-1988 실리콘 모놀리식 프로그래밍 가능 논리 극성 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 실리콘 모놀리식, 양극 추적 조정기, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 실리콘 모놀리식 양방향 트랜시버 이중 편파 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88666-1988 실리콘 모놀리식 인터럽트 핸들러 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88763-1990 실리콘 모놀리식 바이폴라 추적 조정기 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-89549-1989 실리콘 모놀리식 셰이딩 터널 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극 256비트 RAM, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성 64비트 RAM, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 마이크로회로, 디지털, 양극 TTL, 시프트 레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/150 D VALID NOTICE 1-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, TTL, 진폭 비교기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86725 REV B-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 8진 버퍼, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/22 D VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, 고속 TTL, 플립플롭, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/80 F VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, 쇼트키 TTL 및 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, 메모리, 64비트 RAM, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88590 REV C-2008 고급 저전력 쇼트키 TTL 시리즈(ALS) 양극 디지털 마이크로일렉트로닉스 포지티브 NAND 게이트 및 모놀리식 실리콘에 대한 세부 사양
DLA MIL-PRF-19500/199 D VALID NOTICE 1-2011 반도체 장치, 다이오드, 실리콘, 순방향 전압 조정기, 유형 1N816, JAN
DLA SMD-5962-81035 REV E-1988 실리콘 모놀리식 프로그래밍 가능 논리 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-78017 REV G-2006 실리콘 모놀리식 마이크로 프로그래밍 컨트롤러, 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-87769 REV A-2001 실리콘 모놀리식 이중 라인 드라이버 양극형 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-87772-1988 실리콘 모놀리식 가산기 트랜시버 양극형 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-95567 REV A-2002 폐쇄 루프 초고속 버퍼 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 미세 회로, 선형, 전압 조정기, 15V, 음극, 고정, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 초소형 회로, 선형, 전압 조정기, 5V, 음극, 고정, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 초소형 회로, 선형, 전압 조정기, 5V, 음극, 고정, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87671 REV F-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성, 프로그래밍된 논리, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86714 REV C-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 쿼드 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 미세 회로, 디지털, 양극, TTL, 저전력, 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, TTL, 저전력, 플립플롭, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87534 REV D-2011 마이크로회로, 디지털, 양극, 쿼드 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 마이크로회로, 선형, 전압 기준 다이오드, 1.2V, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 AGC가 포함된 미세 회로, 선형, 양극, RF/IF 증폭기, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-DWG-13008-2013 커패시터, 고정, 다중 양극 탄탈륨, 칩, 컨포멀 코팅 케이스
DLA SMD-5962-90739 REV D-2000 실리콘 모놀리식 전압 조정기, 고정 포지티브 5V 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 실리콘 모놀리식 고속 전압 비교기, 양극 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 실리콘 모놀리식 프로그래밍 가능 논리, 양극 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-88507 REV A-2001 실리콘 모놀리식 현장 프로그래밍 가능 극성 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 육각형 NTDS 드라이버 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 16진수 NTDS 수신기 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-81036 REV M-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성, 프로그래밍 가능 논리, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극, 512 X 4비트 PROM, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87791 REV D-2012 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성, 선입선출(FIFO), 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 마이크로회로, 메모리, 디지털 256 X 4비트, 양극 PROM, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, 1024 x 8비트 양극 PROM, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, 2048 x 8비트 양극 PROM, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-84129 REV F-2009 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성, 프로그래밍 가능 논리, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87791 REV C-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성, 선입선출(FIFO), 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 1-2008 초소형 회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 마이크로 회로, 디지털, 양극성 고성능 10비트 버퍼, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 3상태 우선 순위 인코더, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 8비트 등가 비교기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/75 C VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, 쇼트키 TTL, 전용 OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86868 REV C-2011 마이크로 회로, 디지털, 양극, 8진 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 마이크로회로, 디지털, 양극, 반맞춤형(게이트 어레이) 장치, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 순방향 3상태 출력, 16비트 버스 트랜시버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
DLA SMD-5962-87602 REV A-1988 실리콘 모놀리식 16비트 오류 모니터링 및 수정 장치, 양극 마이크로회로
DLA SMD-5962-91667 REV E-2006 실리콘 모놀리식 양극 전압 조정기, 1A 조정 가능 선형 마이크로 회로
DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 고정 분극 전해질 알루미늄 산화물 및 SNAP 탑재 칩 커패시터
DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 실리콘 모놀리식 프로그래밍 가능 논리 양극 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-90513-1990 실리콘 모놀리식, 패리티 및 비트 버스 트랜시버, 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 실리콘 모놀리식, 쿼드 쇼트키 다이오드 어레이, 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-90573-1991 실리콘 모놀리식, ECL 프로그래밍 가능 논리 설정, 양극 메모리 마이크로 회로
DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 실리콘 모놀리식 동적 메모리 컨트롤러 이중 편파 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-93226 REV H-2006 실리콘 모놀리식, 이중 채널 버스 트랜시버, 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-97548 REV A-2006 동기식 4비트 카운터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로회로
DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 1-2008 마이크로회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 1-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 디코더, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 초소형 회로, 디지털, 양극성, 고속 예측 캐리 생성기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/12 J VALID NOTICE 1-2009 미세회로, 디지털, 양극, TTL, 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/81 D VALID NOTICE 1-2010 초소형 회로, 디지털, 양극, 쇼트키 TTL, 라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/82 C VALID NOTICE 1-2010 미세 회로, 디지털, 양극, 쇼트키 TTL, 진폭 비교기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/74 C VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, 쇼트키 TTL 및/또는 반전 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/310 D VALID NOTICE 2-2012 마이크로 회로, 디지털, 양극성 저전력 Shotley TTL 및 모놀리식 실리콘 게이트
DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 디코더, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88550 REV D-2008 모놀리식 실리콘 D형 플립플롭, 에지 트리거 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 실리콘 모놀리식, 오픈 콜렉터 출력, 8비트 버스 트랜시버, 저전력 수정 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 오픈 콜렉터 출력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 쇼트키 TTL 바이폴라 디지털 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 실리콘 모놀리식, 오픈 콜렉터 출력 및 8비트 버스 트랜시버, 저전력 수정 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95527-1994 7채널 공통 소스 전력 어레이 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
DLA SMD-5962-88550 REV C-2001 실리콘 모놀리식 D형 플립플롭 에지 트리거 극성 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 육각형 NTDS 고속 드라이버 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 4중 2입력 전용 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성, 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극, 2K x 8비트, 등록된 PROM, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87794 REV C-2008 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, NOR 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 1-2009 마이크로회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, 전용 OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87711 REV B-2009 미세회로, 디지털, 양극, TTL, 이중 단안정 멀티바이브레이터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/151 B VALID NOTICE 1-2009 미세 회로, 디지털, 양극, TTL, 슈미트 트리거 NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-76020 REV H-2010 마이크로회로, 디지털, 양극성 저전력 쇼트키 TTL, NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 초소형 회로, 디지털, 양극 256비트 RAM(Random Access Memory) 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86726 REV C-2011 초소형 회로, 디지털, 양극, 12입력 패리티 검사/생성기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/302 D VALID NOTICE 2-2012 마이크로 회로, 디지털, 양극 저전력 쇼트키 TTL, 버퍼, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, 전용 OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 개방형 컬렉터 출력을 갖춘 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 8진 버퍼 및 라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87767 REV A-2001 개방형 컬렉터 출력을 갖춘 실리콘 모놀리식 옥탈 버퍼 및 라인 드라이버 TTL 쇼트키로 디지털 마이크로회로의 분극화 촉진
DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 실리콘 모놀리식 래치 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 실리콘 모놀리식 계산기 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 실리콘 모놀리식 계산기 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 실리콘 모놀리식 계산기 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 실리콘 모놀리식 카운터 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 모놀리식 실리콘 방사선 경화 선형 미세 회로 2.5V 션트 다이오드 조정기
DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 매우 빠른 실리콘 모놀리식 회로 전류 피드백(피드백) 증폭 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 실리콘 모놀리식 현장 프로그래밍 가능 논리 어레이(FPLA) 양극화 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 실리콘 모놀리식, XOR 게이트, 저전력 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96756 REV B-2007 조정 가능한 전류 피드백 증폭기 실리콘 모놀리식 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 4중 2입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 4중 2입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 삼중 3 입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극, 16워드, 4비트, 2포트, RAM, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극, ECL, 프로그래밍 가능 논리 장치, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88731 REV B-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 육각 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95580 REV B-2008 마이크로회로, 디지털, 양극, TTL, 데이터 선택기/멀티플렉서, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 1-2008 마이크로회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, 옥탈 버퍼, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 1-2008 마이크로 회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, AND 또는 인버터 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86836 REV D-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 1-2009 초소형 회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, 패리티 검사기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87595 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/375 A VALID NOTICE 1-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88752 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 16진수 인버터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88707 REV D-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, PI-BUS 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 마이크로 회로, 디지털 선형, 방사선 경화, 8채널 소스 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, 옥탈 버퍼, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 2-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL 및/또는 반전 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 마이크로 회로, 디지털 선형, 방사선 경화, 8채널 소스 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, 패리티 검사기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 미세 회로, 선형, 방사선 경화, 2.5V 션트 다이오드 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 미세 회로, 선형, 방사선 경화, 2.5V 션트 다이오드 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 미세 회로, 선형, 방사선 경화, 2.5V 션트 다이오드 조정기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-PRF-19500/205 B NOTICE 1-1999 JAN, JANTX 및 JANTXV 유형 1N3287 순방향 전압 기준 저레벨 게르마늄 다이오드 반도체 장치
DLA SMD-5962-91671 REV C-2003 포지티브 선형 마이크로 회로 디버깅이 가능한 실리콘 모놀리식 강압 스위칭 레귤레이터
DLA SMD-5962-92167 REV B-2007 실리콘 모노블록 그라데이션 전압 조정기 12와트 고정 포지티브 선형 마이크로 회로
DLA MS21141 REV J (1)-1998 95 KSI FSU 내식성 강철 돌출 헤드, 포지티브 기계적 잠금 유형 고장력 단면 패스너
DLA MS21141 REV J-1998 95 KSI FSU 내식성 강철 돌출 헤드, 포지티브 기계적 잠금 유형 고장력 단면 패스너
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 전계 효과 트랜지스터 전산 스피커, 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-01507-2001 모놀리식 실리콘 양극화 디지털 초소형 회로 고속 예측 캐리 생성기
DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 실리콘 모놀리식 쇼트키 TTL 촉진기 수신기/조절기 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88555 REV C-2001 실리콘 모놀리식 D형 조정기 쇼트키 TTL, 이중 편파 디지털 마이크로회로 촉진
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 양극성 트랜지스터 4배 2 입력 포지티브 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 실리콘 모놀리식 동기식 4비트 업/다운 카운터 이중 극성 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 실리콘 모놀리식 PI 버스 트랜시버 쇼트키 TTL, 양극성 디지털 마이크로회로 촉진
DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 실리콘 모놀리식 버스 인터페이스 플립플롭 쇼트키로 양극 디지털 마이크로회로 구현
DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 저전력 4비트 수량 비교기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로회로
DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 단안정 멀티바이브레이터 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 바이폴라 마이크로회로
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 바이폴라 마이크로 회로
DLA SMD-5962-91761 REV A-2008 마이크로 회로 디지털 이미터 결합 논리 200MHz 10/11 모놀리식 이중 모드 주파수 분배기
DLA SMD-5962-88507 REV B-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성, 현장 프로그래밍 가능 시퀀서(FPLS), 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 마이크로 회로, 디지털, 1024비트 양극 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(P-ROM), 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 마이크로회로, 디지털, 양극, TTL, 병렬 로드 8비트 시프트 레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 1-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 패리티 검사기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/338 B VALID NOTICE 1-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 산술 논리 장치, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, D형 레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86838 REV D-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, NOR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 1-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급, 쇼트키 TTL, 플립플롭, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 1-2009 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 바이너리 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 1-2009 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 10년 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-76037 REV G-2009 초소형 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 멀티플렉서, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88709 REV A-2010 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 2입력 NOR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, 8비트 ID 비교기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86840 REV F-2011 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88774 REV C-2011 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 듀얼 AND 또는 인버터 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89438 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 비반전 레지스터 10개, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89558 REV B-2012 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 트랜시버/레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86844 REV E-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, NOR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86865 REV E-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-86866 REV D-2013 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, 디코더, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 패리티 검사기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극 동기식 4비트 바이너리 업다운 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 2-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급, 쇼트키 TTL, 플립플롭, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 바이너리 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 10년 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 실리콘 모놀리식, D형 이중 포지티브 에지 트리거 플립플롭(리셋 클리어 키 포함), TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-76014 REV G-2005 실리콘 모놀리식 예측 가산기 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-76016 REV J-2005 실리콘 모놀리식 멀티플렉서 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-76019 REV H-2005 실리콘 모놀리식 멀티플렉서 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-76037 REV F-2003 실리콘 모놀리식 멀티플렉서 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 실리콘 모놀리식 64비트 바이폴라 랜덤 액세스 메모리, 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-83022 REV J-2005 실리콘 모놀리식 카운터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 실리콘 모놀리식 트랜시버, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-84154 REV D-2005 실리콘 모놀리식 자체 기록 장치, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88710-1988 실리콘 모놀리식 8비트 신원 비교기 쇼트키 TTL, 양극성 디지털 마이크로회로 촉진
DLA SMD-5962-88752 REV C-2003 실리콘 모놀리식 육각형 인버터 쇼트키 TTL로 양극성 디지털 마이크로회로 촉진
DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 실리콘 모놀리식 이중 또는 반전 채널 쇼트키 TTL은 이중 편파 디지털 마이크로회로를 촉진합니다.
DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 모놀리식 실리콘 6개 반전 드라이버 수정된 쇼트키 TTL 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 미세 회로, 디지털, 양극, TTL, 사전 설정 및 투명한 모놀리식 실리콘을 갖춘 듀얼 JK 플립플롭
DLA SMD-5962-95581 REV B-2008 마이크로 회로, 디지털, 양극, TTL, 4라인 - 16라인 디코더/역다중화기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/320 D (1)-2008 미세 회로, 디지털, 양극 저전력 쇼트키 TTL, 카운터, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/09610-2008 마이크로 회로, 디지털, 삼중 버퍼/드라이버, 오픈 드레인 출력 포함, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 1-2008 초소형 회로, 디지털, 양극 고급 쇼트키 TTL, 쿼드, 2 입력 OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88522 REV B-2008 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 2입력 및 드라이버 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87543 REV C-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 9입력 패리티 검사기/생성기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 1-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극 저전력 쇼트키 TTL, 플립플롭, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 8비트 ID 비교기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 8비트 ID 비교기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/331 A VALID NOTICE 4-2012 마이크로회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 플립플롭, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89553 REV B-2012 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 옥탈 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/320 D VALID NOTICE 1-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극 저전력 쇼트키 TTL 카운터, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 2-2013 미세 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 계단식 래치, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 2-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극, 저전력, 쇼트키 TTL, 플립플롭, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극 고급 쇼트키 TTL, 쿼드, 2 입력 OR 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 2-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극 저전력 쇼트키 TTL, 플립플롭, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 8비트 ID 비교기, 모놀리식 실리콘
DLA MS90310 REV J (1)-2012 스위치, 토글, 능동형 분리, 소형, 토글 씰, 납땜 러그, 단극, .469 장착 슬리브
DLA MS90311 REV M (1)-2012 스위치, 토글, 활성 분리, 마이크로 토글 씰, 납땜 러그, 양극, .469 장착 슬리브
DLA SMD-5962-91672 REV D-2004 실리콘 모놀리식 스텝다운 컨버터 조정기, 고정 포지티브 5W 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-91673 REV B-2004 실리콘 모놀리식 스텝다운 컨버터 조정기, 고정 포지티브 12W 선형 마이크로 회로
DLA MS21434 REV C-2011 스위치, 토글, 포지티브 브레이크, 소형, 토글 밀폐형, 양극, PCB 단자, 직각 실장
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 실리콘 모놀리식, 포지티브 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로 장착
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 실리콘 모놀리식, 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 10비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로 장착
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버스 트랜시버, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 실리콘 모놀리식, 포지티브 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로 장착
DLA SMD-5962-77009 REV E-2005 실리콘 모놀리식 10진 카운터 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-78026 REV D-2004 실리콘 모놀리식 십진 카운터, 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-84145 REV D-2005 실리콘 모놀리스 또는 드라이버, TTL 쇼트키 고급 저전력 양극 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-00507 REV A-2004 모놀리식 실리콘 디지털 마이크로회로 양극화 TTL/DTL 호환 프로그래밍 가능 타이머/카운터
DLA SMD-5962-89573 REV D-2006 실리콘 모놀리식, 8비트 범용 레지스터, 개선된 쇼트키 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-89754 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 트랜시버/레지스터, 개선된 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88522 REV A-2001 실리콘 모놀리식 2입력 및 드라이버로 디지털 마이크로회로의 쇼트키 TTL 분극화 촉진
DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 실리콘 모놀리식 512 x 4비트 양극 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 실리콘 모놀리식 바이폴라 쿼드 16진수 NTDS 고속/재수신기 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-88709-1988 채널이 없는 쇼트키 TTL을 갖춘 실리콘 모놀리식 2입력으로 바이폴라 디지털 마이크로회로 구현
DLA SMD-5962-88722-1988 실리콘 모놀리식 버퍼/라인 드라이버 쇼트키로 이중 편파 디지털 마이크로회로 구현
DLA SMD-5962-89438 REV A-2004 실리콘 모놀리식 10x 돋보기는 쇼트키 TTL을 조정하여 이중 편광 디지털 마이크로회로를 촉진합니다.
DLA SMD-5962-89553 REV A-2005 실리콘 모놀리식 옥탈 버스 트랜시버 쇼트키 TTL로 양극 디지털 마이크로회로 구현
DLA SMD-5962-89555 REV B-1992 실리콘 모놀리식 8진 조절 트랜시버 쇼트키 TTL로 양극성 디지털 마이크로회로 구현
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 4배 2 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로 회로
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 3중 3 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90937 REV C-2008 TTL 호환 모놀리식 실리콘 4버스 버퍼 게이트 3상태 출력 바이폴라 CMOS 디지털 마이크로회로
DLA MIL-M-38510/204 F-2009 마이크로회로, 디지털, 2048비트, 쇼트키, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(PROM), 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 초소형 회로, 디지털, 8192비트 쇼트키, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(Prom), 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 마이크로 회로, 디지털, 16,384비트 쇼트키, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(PROM) 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 초소형 회로, 디지털, 1024비트 쇼트키, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(Prom), 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/209 G-2013 마이크로회로, 디지털, 8192비트, 쇼트키, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(PROM), 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 오픈 드레인 출력을 갖춘 16진수 인버터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95582 REV B-2008 미세 회로, 디지털, 양극, TTL, 듀얼 2선 - 4선 디코더/역다중화기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 시프트 레지스터, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89555 REV C-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 8진 등록 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 8비트 바이너리 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/502 A VALID NOTICE 1-2010 초소형 회로, 디지털, 양극성 현장 프로그래밍 가능 논리 어레이(FPLA) 16 x 48 x 8, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88556 REV B-2011 마이크로회로, 디지털, 고속 CMOS, 아날로그 멀티플렉서/디멀티플렉서, 양극 4비트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 버스 인터페이스 플립플롭, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 시프트 레지스터, 캐스케이드 가능, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 미세 회로, 선형, 방사선 경화, 매우 낮은 잡음 쿼드 채널, 연산 증폭기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 미세 회로, 선형, 방사선 경화, 매우 낮은 잡음 쿼드 채널, 연산 증폭기, 모놀리식 실리콘

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극편

CNS 7218-1981 자극용 실리콘 강판
CNS 13808-1997 LED 칩
CNS 13806-1997 발광 다이오드 칩의 발광 파장 및 휘도 측정 방법

工业和信息化部, 양극편

YS/T 1030-2017 리튬이 풍부한 망간 기반 양극재
JB/T 14230-2022 리튬이온 배터리 폴피스 코팅기
SJ/T 11794-2022 리튬이온 배터리 양극재의 유리 리튬 테스트 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 양극편

KS B 6314-1-2002 양극, 오일 씰 로터리 진공 펌프 변위, 최종 압력 측정
KS B 6314-1-2002(2017) 용적형 오일 로터리 진공 펌프의 최종 압력 측정
KS B 6314-2-2002 양극 오일 씰 로터리 진공 펌프 변위 유량 측정(펌프 속도)
KS M 1077-2008 리튬이차전지 양극 활물질 중 납 및 카드뮴 정량법
KS F ISO 4356-2002(2012) 구조설계기준 : 정상사용한계상태에서 건물의 변형

Professional Standard - Electron, 양극편

SJ/T 11470-2014 LED 에피택셜 웨이퍼
SJ/T 11471-2014 발광 다이오드 에피택셜 웨이퍼 테스트 방법
SJ/T 11399-2009 반도체 발광 다이오드 칩 테스트 방법
SJ/T 11396-2009 질화갈륨계 발광다이오드 사파이어 기판
SJ 2354.4-1983 PIN 및 애벌런치 포토다이오드 순방향 전압 강하 테스트 방법
SJ 2214.2-1982 반도체 포토다이오드의 순방향 전압 강하 테스트 방법
SJ/T 11398-2009 전력반도체 발광다이오드 칩 기술사양
SJ 2215.3-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 순방향 전류 테스트 방법
SJ 2215.2-1982 반도체 광커플러(다이오드)의 순방향 전압 강하 테스트 방법
SJ 1673-1980 3DG254 유형 NPN 실리콘 순방향 자동 이득 제어 고주파 저전력 트랜지스터
SJ 1672-1980 3DG253 유형 NPN 실리콘 순방향 자동 이득 제어 고주파 저전력 트랜지스터
SJ/T 31210-1994 음극 디스크 용접기의 무결성 요구 사항과 검사 및 평가 방법
SJ/T 11868-2022 실리콘 기판 청색 전력 발광 다이오드 칩의 세부 사양
SJ/T 11818.2-2022 반도체 UV 방출 다이오드 2부: 칩 사양
SJ/T 11869-2022 실리콘 기판 백색광 전력 발광 다이오드 칩의 세부 사양
SJ/T 11867-2022 실리콘 기판 청색광 저전력 발광 다이오드 칩의 상세 사양
SJ/T 2658.2-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 2부: 순방향 전압
SJ 2658.2-1986 반도체 적외선 발광 다이오드 테스트 방법 순방향 전압 강하 테스트 방법
SJ/T 31321-1994 폴 피스 펀칭기 및 커버 조합 리벳팅 기계에 대한 무결성 요구 사항과 검사 및 평가 방법
SJ/T 31212-1994 음극 외부 슬리브 및 세라믹 판 리벳팅 기계에 대한 무결성 요구 사항과 검사 및 평가 방법
SJ 2658.5-1986 반도체 적외선 발광 다이오드 테스트 방법 순방향 직렬 저항 테스트 방법

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극편

DB13/T 1513-2012 배터리 폴 피스 롤링 장비

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 양극편

GB/T 10093-2009 확률적 한계상태 설계(정상-정상 모드)
GB/T 30835-2014 리튬이온 배터리용 탄소복합 리튬인산철 양극재
GB/T 36356-2018 전력반도체 발광다이오드 칩 기술사양
GB/T 36357-2018 중전력 반도체 발광다이오드 칩 기술규격
GB/T 43092-2023 리튬이온전지 양극재의 전기화학적 성능시험을 위한 고온성능 시험방법

Professional Standard - Light Industry, 양극편

QB/T 1971.1-1994 건식 배터리 양극 캡 일반 구리 캡
QB/T 2459.1-1999 LR6, LR03 알카라인 아연-망간 배터리, 포지티브 스틸 케이스
QB/T 2459.1-2011 알칼리성 아연-이산화망간 배터리 예비 부품 부품 1: 양극 강철 케이스
QB/T 2459.1-2022 알칼리성 아연-이산화망간 배터리 예비 부품 부품 1: 양극 강철 케이스

中国轻工总会, 양극편

QB 1971.1-1994 건전지 양극 캡 일반 구리 캡

RU-GOST R, 양극편

GOST 21106.6-1977 양극 전력 손실이 25W를 초과하는 방출 변조 및 제어 튜브. 양극과 그리드의 전류가 0이고 양극에 대해 양의 전위가 있는 양극 및 그리드 전류 측정 방법
GOST 19438.12-1975 소형 전력 전자관 음극에 비해 양전위에서 양극 전류 및 게이트 전류를 측정하는 방법
GOST 21803.3-1976 진공 표시기 게이지 음극에 대한 양의 전위로 게이트 전류를 측정하는 방법
GOST 18986.9-1973 반도체 다이오드 펄스 순방향 전압 및 순방향 회복 시간 측정 방법
GOST 592-1981 칩 스프로킷 치형 계산 및 설계 방법 한계 편차
GOST R 54107-2010 용적형 진공 펌프 성능 특성 측정 2부: 최종 압력 측정

CZ-CSN, 양극편

CSN 35 8775-1987 주도의. 순방향 소음 측정
CSN 35 8732-1964 반도체 다이오드. 순방향 전류 측정
CSN 42 8302-1986 열간 압연 구리 및 구리 합금 시트, 플레이트 및 양극. 크기
CSN 35 8766-1976 반도체 장치. 스위칭 다이오드. 순방향 전압 측정
CSN 35 8731-1975 반도체 장비. 다이오드. DC 순방향 전압 측정
CSN 42 1316-1986 구리 및 구리 합금 시트, 플레이트, 양극, 스트립, 스트립, 디스크 및 포일. 기술은 코드를 제공합니다
CSN 42 1332-1984 니켈 및 니켈 합금. 시트, 스트립 및 양극. 기술 배송 코드
CSN 35 8757 Cast.6-1985 공통 이미터 순방향 전류 전달 비율의 정적 값을 측정하는 방법
CSN 42 1360-1984 주석 및 주석 합금 스트립, 스트립, 양극 및 금속 포일. 기술은 코드를 제공합니다
CSN 35 8757 Cast.2-1985 트랜지스터. 매우 작은 신호의 공통 방출을 통한 단락 단락의 순방향 전류 전달 비율 측정 방법

RO-ASRO, 양극편

STAS 11200/5-1978 그래픽 기호. 양극성 그래픽 기호
STAS 11200/482-1982 플라즈마 스프레이 건을 전극에 연결하기 위한 그래픽 기호(양극에서 접지로 흐르는 전류)
STAS 12191/2-1990 튜브 양극판이 있는 납산 안정화 Y 배터리의 주요 특징 및 치수
STAS 10479-1975 알루미나 산업용 실리콘 알루미늄 고온 내성 제품. 포지티브 오븐용으로 특별히 설계되었습니다. 품질 및 기술 조건

HU-MSZT, 양극편

MSZ 7742/2-1970 비금속 무기 코팅. 양성 검출

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극편

DB35/T 1193-2011 반도체 발광 다이오드 칩
DB35/T 1370-2013 발광 다이오드 칩 스팟 테스트 방법

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 양극편

YS/T 611-2023 정온도 계수 세라믹 전극 슬러리

United States Navy, 양극편

NAVY MIL-P-17689 NOTICE 3-2003 N-5 이중 베이스 플레이크 추진제
NAVY MIL-P-17689 VALID NOTICE 1-1975 N-5 이중 베이스 플레이크 추진제
NAVY MIL-P-17689-1953 N-5 이중 베이스 플레이크 추진제
NAVY GG-P-455 B NOTICE 4-2003 (감광성 알루미늄 양극산화막) 사진판 및 금속박
NAVY GG-P-455 B (3)-1995 (감광성 알루미늄 양극산화막) 사진판 및 금속박
NAVY GG-P-455 B-1967 (감광성 알루미늄 양극산화막) 사진판 및 금속박

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 양극편

GB/T 36613-2018 발광 다이오드 칩 스팟 테스트 방법

ECIA - Electronic Components Industry Association, 양극편

535ABAE-1987 비고체 전해질 및 다공성 양극 은 케이스 축형 리드 탄성 중합체 씰을 갖춘 고정 탄탈륨 커패시터 극성 니켈 양극 구리 음극 리드 절연

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극편

DB44/T 1630-2015 3528/5050 패키지형 칩 발광 다이오드
DB44/T 1372-2014 전기 자동차용 리튬 이온 배터리의 양극 및 음극 재료에 대한 일반 기술 요구 사항

German Institute for Standardization, 양극편

DIN 42026-4:1982 영구자석 정류자 세그먼트 가시적 결함 한계값
DIN 41618-1:1966 블레이드 접촉면 2.5mm×1mm 다극 커넥터.
DIN 41622-1:1965-01 블레이드 접점이 3 × 1mm인 다극 커넥터, 측면
DIN 41618-1:1966-10 블레이드 접점이 있는 다극 커넥터 2.5mm × 1mm, 측면
DIN 40737-3:2015-09 납산 배터리 - 3부: 양극 튜브 플레이트가 있는 고정식 환기 배터리
DIN EN 2549:2007-02 항공우주 시리즈 볼트 일반 육각 머리 단단한 공차 일반 로드 짧은 나사 티타늄 합금 양극 산화 MoS
DIN 40734:1999 납산 배터리 양극 그리드 플레이트가 있는 고정식 환기 배터리 플라스틱 용기에 담긴 배터리 정격 용량, 주요 치수 및 무게
DIN 40734:1999-05 양극판이 있는 납축 배터리 고정 통풍 배터리 플라스틱 용기
DIN 40744:2015-09 납산 배터리 - 양극 튜브 플레이트와 고정 전해질(겔)이 있는 고정 밸브 조절식 배터리
DIN 41618-3:1974-05 블레이드 접점이 2.5mm × 1mm인 다극 커넥터, 위치 지정 및 제동 구성 요소
DIN 40742:2015-09 납산 배터리 관형 양극판과 고정 전해질을 갖춘 고정되고 안정적인 배터리
DIN 40744:2015 납산 배터리 관형 양극판과 고정 전해질을 갖춘 고정되고 안정적인 배터리
DIN 40744 Berichtigung 1:2020-02 납산 배터리 - 양극 튜브 플레이트와 고정 전해질(겔)이 있는 고정 밸브 조절식 배터리
DIN 40736-1:2015-09 납산 배터리 - 1부: 플라스틱 용기에 양극 튜브 플레이트가 있는 고정식 환기 배터리
DIN 40736-1:2015 납산 배터리 1부: 플라스틱 용기에 양극판이 있는 고정 통풍 어셈블리
DIN 40739:1999-07 납산 배터리 양극판이 있는 고정형 통풍 배터리 정격 용량, 주요 치수, 무게

Standard Association of Australia （SAA）, 양극편

AS 4029.3:1993/Amdt 1:1996 고정 배터리 납산 순수 납 양극 페이스트 플레이트 유형
AS/NZS 1664.1/AMD 1:1999 알루미늄 구조물 1부: 한계 상태 설계, 수정안 1

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 양극편

EIA_ECA-956-2006 고분자 음극 알루미늄 전해 칩 커패시터
EIA/ECA-956-2006 고분자 음극 알루미늄 전해 칩 커패시터
EIA_ECA-953-2006 폴리머 음극을 사용한 성형 탄탈륨 칩 커패시터
EIA/ECA-953-2006 폴리머 음극을 사용한 성형 탄탈륨 칩 커패시터
EIA/ECA-955-2007 폴리머 음극 표면 실장 알루미늄 전해 칩 커패시터(인증 사양)
ECA EIA/ECA-955-2007 폴리머 음극을 사용한 표면 실장형 알루미늄 전자 칩 커패시터(인증 사양)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 양극편

GB/T 33970-2017 저항용접전극용 Al2O3 분산강화동판

KR-KS, 양극편

KS M 1077-2008(2023) 리튬전지 양극활물질 내 납 및 카드뮴 측정

Association Francaise de Normalisation, 양극편

NF A81-304:1994 수동 금속 아크 전극용 코팅 전극봉 화학 분석을 위한 용접 금속 패드 증착
NF EN ISO 2128:2010 알루미늄 및 그 합금의 양극산화 양극층 두께 측정 광학 단면 현미경의 비파괴 방법

International Organization for Standardization (ISO), 양극편

ISO 22426:2020 테스트 피스 측정을 기반으로 한 음극 보호 효과 평가
ISO 4356:1977 정상적인 사용제한상태에서 구조설계 기본건물의 변형
ISO/TR 4553:2022 정상적인 서비스 제한 조건에서 건물 및 건물 구성 요소의 변형 및 변위
ISO 10062:2022/DAmd 1:2023 인공 대기에서 매우 낮은 농도의 오염 가스에 대한 부식 테스트 - 수정안 1: 경고 각주

PL-PKN, 양극편

PN E83006-03-1991 납산 배터리. 양극전지의 크기와 용량을 붙여보세요
PN E83006-02-1991 납산 전원 배터리. 관형 양극판 배터리의 크기 및 용량

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 양극편

QC 300202/US 0005-1985 전자 장비에 사용하기 위한 사양: 세부 사양: 비고체 전해질 및 다공성 양극이 있는 고정 탄탈륨 커패시터, 은 케이스 축 리드 탄력있게 밀봉된 극성 니켈 양극 구리 음극 절연 리드

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 양극편

JIS Z 4334:2005 표면 오염 모니터 교정을 위한 기준 소스 베타 방출기(0.15MeV보다 큰 최대 베타 에너지) 및 알파 방출기

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극편

DB37/T 2751-2016 고도로 압축된 리튬 니켈 코발트 망간산염 양극재에 대한 일반 기술 요구 사항
DB37/T 1944-2011 인산철리튬 양극재(리튬이온 배터리용)의 일반 기술 조건

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 양극편

JEDEC JESD2-1982 칩 캐리어용 디지털 양극 논리 단자 배열
JEDEC JESD51-50-2012 단일 칩 및 다중 칩, 단일 및 다중 PN 접합 발광 다이오드(LED)에 대한 열 측정 방법 개요

British Standards Institution (BSI), 양극편

BS ISO 22426:2020 쿠폰 측정을 기반으로 음극 방식의 효율성 평가
BS ISO 3560:2013 도로 차량 정면 고정 장애물 또는 극한 충격 테스트 절차

American Welding Society (AWS), 양극편

AWS A5.9/A5.9M-2006 베어 스테인레스 스틸 용접 전극 및 봉 통합 개정 사양: 2007
AWS A5.1/A5.1M-2004 탄소강 전극 가드 금속 아크 용접 통합 개정 사양: 2004년 9월
AWS A5.28/A5.28M-2005 가스 차폐 아크 용접에 사용되는 저합금강 전극 및 봉 사양 개정: 2007

NATO - North Atlantic Treaty Organization, 양극편

STANAG 1196-1994 해군 북극 매뉴얼 ATP-17(B) (ED 3 AMD 1 수정안 1 8/26/94)

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극편

DB52/T 928-2014 CA45S형 하부 전극 칩 고체 전해질 탄탈륨 고정 커패시터

Professional Standard - Aerospace, 양극편

QJ 1159.7-1987 스무스 리미트 게이지 유형 및 크기 양단 칩 플러그 게이지(D>80~250)
QJ 1160.6-1987 스무스 리미트 게이지 유형 크기 단일 헤드 디스크 스냅 게이지(D>120~250)
QJ 1160.4-1987 스무스 리미트 게이지형 사이즈 싱글 헤드 디스크 스냅 게이지(D>10~80)
QJ 1160.3-1987 스무스 리미트 게이지 유형 크기 단일 헤드 직사각형 스냅 게이지(D>3~10)
QJ 1160.5-1987 스무스 리미트 게이지형 사이즈 싱글 헤드 디스크 스냅 게이지(D>80~120)

BE-NBN, 양극편

NBN-EN 28092-1-1992 교통 수단. 슬라이더로 빠르게 연결하세요. 1부: 단극 연결용 슬라이드(ISO 8092:1:1989)

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 양극편

JJG(电子) 04009-1987 BJ2983 유형 트랜지스터 순방향 바이어스 2차 항복 테스터 파일럿 검증 절차

Hunan Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극편

DB43/T 1591-2019 리튬전지 양극재 단위 제품당 에너지 소비 한도 및 산정방법

AT-ON, 양극편

ONORM EN 28092-1-1992 도로 차량. 칩형 퀵커넥터. 유니폴라 커플링 탭
ONORM EN 28092-2-1992 도로 차량. 칩형 퀵커넥터. 단극 연결 조인트 테스트 및 성능 요구 사항

Professional Standard - Machinery, 양극편

JB/T 5192.4-1991 카메라 기계의 리벳 부품의 치수 및 한계 편차 일치 다이어프램 블레이드 및 블레이드 리벳의 리벳 팅.
JB/T 5192.3-1991 기계식 리벳팅 부품의 일치하는 치수와 극단적인 편차, 휠 블레이드와 휠의 리벳팅 사진 촬영

National Association of Corrosion Engineers (NACE), 양극편

NACE RP0104-2004 음극 보호 모니터링 애플리케이션에 쿠폰 사용 프로젝트 번호 21105

European Committee for Standardization (CEN), 양극편

EN 28073:1991 도로 차량을 위한 편평하고 빠른 연결 종단 부품 1: 단극 커넥터

SE-SIS, 양극편

SIS SS 06 11 01-1990 용접 전극. 탄소강, 탄소-망간 합금강, 미세 합금강, 저합금강의 가스 금속 아크 용접 및 금속 아크 용접용 용접 전극 및 관형 전극입니다. 용융 금속 시편의 용접 금속 테스트

Society of Automotive Engineers (SAE), 양극편

SAE AMS6438F-2006 소모성 전극 진공 용융 강판, 스트립 및 플레이트 1.05Cr - 0.55Ni - 1.0Mo - 0.12V (0.45 - 0.50C)
SAE AMS6546E-1991 경질 소모성 전극 용융 강판 스트립 및 플레이트 0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
SAE AMS6439D-2011 소둔용 전극 진공용해 강판, 강대 및 강판 1.05Cr 0.55Ni 1.0Mo 0.12V (0.42 - 0.48C) (D6AC)

International Telecommunication Union (ITU), 양극편

ITU-T R.81 FRENCH-1988 정상 전원 공급 실패로 인한 전신 채널 중단 기간에 대한 최대 허용 한도
ITU-T R.81 SPANISH-1988 정상 전원 공급 실패로 인한 전신 채널 중단 기간에 대한 최대 허용 한도

Danish Standards Foundation, 양극편

DS/EN 28 092-1:1992 도로 차량. 칩 유형의 빠른 연결 커넥터. 부품 1: 단극 연결 커넥터

YU-JUS, 양극편

JUS N.R2.624-1980 보호층 없이 소결된 양극과 고체 상수 전해질을 갖춘 극성 탄탈륨 커패시터. 탄탈륨 칩 커패시터(유형 3A2) 6, 3~35V d. 씨. 기후 심각도: 55/125