Positives Elektrodenstück

Für die Positives Elektrodenstück gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Positives Elektrodenstück die folgenden Kategorien: Batterien und Akkus, Stahlprodukte, Pulvermetallurgie, Vakuumtechnik, Leitermaterial, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Halbleitermaterial, Diskrete Halbleitergeräte, Werkzeugmaschine, Qualität, Metallurgische Ausrüstung, Elektronenröhre, Elektronische Anzeigegeräte, Optoelektronik, Lasergeräte, Elektrotechnik umfassend, Anorganische Chemie, Nichteisenmetallprodukte, Luft- und Raumfahrtsysteme und Betriebsgeräte, Spanlose Bearbeitungsgeräte, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte, Umfassende Verpackung und Transport von Waren, Komponenten elektrischer Geräte, Umfangreiche elektronische Komponenten, Widerstand, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, analytische Chemie, Abfall, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Metallkorrosion, Strahlungsmessung, Wortschatz, Nichteisenmetalle, Anwendungen der Informationstechnologie, Umweltschutz, Flexible Übertragung und Übertragung, medizinische Ausrüstung, Inspektions-, Reparatur- und Prüfgeräte, Drahtlose Kommunikation, Optik und optische Messungen, Gebäudestruktur, Datenspeichergerät, Kondensator, Energie- und Wärmeübertragungstechnik umfassend, Verschluss, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung.

Group Standards of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

T/ZZB 1302-2019 Wasserbasierte Bindemittel an Kathode/Anode in Lithium-Ionen-Batterien
T/QGCML 306-2022 Kathodenmaterial für Natrium-Ionen-Batterie
T/SSEA 0202-2022 Lithium-Batterie-Polstück-Walzwerksrolle
T/QDAS 050-2020 Forschungs- und Entwicklungsverfahren für Diodendiffusoren
T/ZZB 2408-2021 Natriumhydroxid als Kathodenmaterial für Lithiumbatterien
T/HBZXL 011-2023 Technische Spezifikation für Rollenpresse für Batterieelektroden
T/CAS 455-2020 Automatische Polklingen-Schabmaschine für Lithium-Ionen-Akkus
T/QGCML 097-2021 Technische Spezifikation für die Verpackung des Diodendiffusors
T/QGCML 030-2020 Konventionelle elektrische Standards für Diodendiffusionsfolien
T/CEMIA 028-2022 Spezifikation für Oberflächenelektrodenpaste für Chip-Widerstände
T/CEMIA 027-2022 Spezifikation für Rückelektrodenpaste für Chip-Widerstände
T/SSEA 0201-2022 Rollenrohlinge für Walzwerksrollen mit Polstücken für Lithiumbatterien
T/FSYY 0048-2021 Produkte zur Vorbehandlung von Lithium-Abfallbatterien – Kathodenmaterialpulver
T/QGCML 2162-2023 Anforderungen an die Produktionslinie für Lithiumeisenphosphat-Kathodenmaterial
T/DCB 003-2023 Kathodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien: Lithium-Eisen-Mangan-Phosphat
T/ZZB 1912-2020 Nickelpulver für die Elektrode eines mehrschichtigen Keramikkondensators
T/CASME 901-2023 Technische Anforderungen an die Stanz- und Schneidform für Lithiumbatterie-Polstücke
T/CEMIA 031-2022 Positiver Photoresistentwickler für organische Leuchtdiodenanzeigen
T/CIAPS 0029-2023 Lithium-Mangan-Eisenphosphat-Kathodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
T/QDAS 070-2021 Formel einer Bordiffusionsflüssigkeitsquelle für einen Diodendiffusor
T/COEMA 004LCD-2022 Polarisatorfolie für das TV-Display mit organischen Leuchtdioden
T/ZZB 2332-2021 Poliertes Saphirsubstrat für LED
T/CIET 264-2023 Leitfaden zum Kohlenstoffmanagement für Hersteller von Kathodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
T/CAB 0265-2023 Technische Anforderungen für die Reparatur verbrauchter Lithiumeisenphosphat-Kathodenmaterialien
T/CEEIA 506-2021 Anforderungen für die Bewertung grüner Anlagen in der Kathodenmaterialindustrie für Lithium-Ionen-Batterien
T/FSYY 0035-2021 Technische Spezifikation für den Prozess zur Reduzierung der CO2-Emissionen – Kathodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien
T/QGCML 3057-2024 Repair and regeneration technology of lithium cobalt oxide cathode materials in used batteries
T/DCB 004-2023 Kathodenmaterialien für Natriumionenbatterien Teil 1: Klassifizierung und Nomenklatur
T/ZZB 2407-2021 Nickel-Kobalt-Mangan-Verbundhydroxid, aufgetragen in einkristallinem Kathodenmaterial
T/QGCML 654-2023 Spezialeisen für das Kathodenmaterial der Lithium-Eisenphosphat-Energiebatterie
T/GERS 0036-2023 Technische Spezifikationen zu positiven Elektrodenmaterialien für schnell aufladbare Lithium-Ionen-Traktionsbatterien
T/DZJN 184-2023 Technische Anforderungen an den Regenerationsprozess von gebrauchten Kathodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
T/SQIA 058-2023 Technische Anforderungen für die Bewertung des CO2-Fußabdrucks von Kathoden- und Anodenfunktionsmaterialien für Lithiumbatterien
T/COEMA 003LCD-2022 Polarisatorfolie für mittelgroße organische Leuchtdioden-Displays
T/DZJN 114-2022 Technische Spezifikation für das Recycling von Polstückmaterialien für Lithium-Ionen-Batterieabfälle
T/WHAS 050-2023 Klemmblatt der bipolaren elektrischen Koagulationspinzettenform, die Produktionsspezifikationen bildet
T/GDBIA 06-2023 Spezifikation zur Sicherheitsprüfung von ternären Kathodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
T/CIAPS 0026-2023 Implementierungsleitfaden für das Energieeffizienz-Benchmarking der Batterieindustrie Teil 3: Kathodenmaterialien
T/DCB 007-2023 Kathodenmaterialien für Natriumionenbatterien Teil 4: Übergangsmetalloxide
T/FSYY 0027-2021 Anforderungen an die Bilanzierung und Berichterstattung über den CO2-Fußabdruck – Kathodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien
T/FSYY 0036-2021 Technische Spezifikation für den Prozess zur Reduzierung der CO2-Emissionen – Vorläufer des Kathodenmaterials für Lithium-Ionen-Batterien
T/DCB 006-2023 Kathodenmaterialien für Natriumionenbatterien Teil 3: Preußischblaue Verbindungen
T/DCB 005-2023 Kathodenmaterialien für Natriumionenbatterien, Teil 2: Polyanionische Verbindungen
T/FSYY 0028-2021 Anforderungen an die Bilanzierung und Berichterstattung über den CO2-Fußabdruck – Vorläufer des Kathodenmaterials für Lithium-Ionen-Batterien
T/FSYY 0037-2021 Methoden zur Bilanzierung von Kohlenstoffemissionen und Berichtsanforderungen – Unternehmen zur Herstellung von Kathodenmaterial für Lithium-Ionen-Batterien
T/DZJN 112-2022 Green Design Produktbewertung Technische Spezifikationen Lithium-Ionen-Batterie Mehrere zusammengesetzte Kathodenmaterialien
T/DZJN 216-2023 Richtlinien für die Bewertung des CO2-Fußabdrucks von Lithium-Ionen-Batterieprodukten, Teil 2: Kathodenmaterial – Lithiumeisenphosphat

Defense Logistics Agency, Positives Elektrodenstück

DLA SMD-5962-98640 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 15 VOLT, POSITIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98643 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, POSITIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91523 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, 20 V FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98647 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98648 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98650 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98649 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, POSITIV, EINSTELLBAR, LOW DROPOUT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-02524 REV G-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, EINSTELLBAR, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89520 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89521 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR, POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88646 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR, POSITIV, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-05219 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, POSTIV UND NEGATIV, EINSTELLBAR
DLA SMD-5962-09206-2009 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPANNUNGSREGLER, POSTIV UND NEGATIV, EINSTELLBAR
DLA SMD-5962-09206 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPANNUNGSREGLER, POSTIV UND NEGATIV, EINSTELLBAR
DLA SMD-5962-05219 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, POSTIV UND NEGATIV, EINSTELLBAR
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIVE 5-VOLT-EINSTELLBARE PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 2,5 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 3,3 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 5 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89479 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIVE 10-VOLT-EINSTELLBARE PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88677 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 4-BIT-BIPOLAR-MIKROPROZESSOR-SCHEIBE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-09201-2009 MIKROKREIS, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, POSTIV und NEGATIV, NIEDRIGER DROPOUT, EINSTELLBAR
DLA SMD-5962-09201 REV A-2009 MIKROKREIS, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, POSTIV und NEGATIV, NIEDRIGER DROPOUT, EINSTELLBAR
DLA MS90311 REV K (1)-2010 SCHALTER, KIPPSCHALTER, ZUSÄTZLICHE BREMSE, MINIATUR-TOGGER, VERSIEGELT, LÖTKABEL, DOPPELPOLIG, .469-MONTAGEBUCHSE
DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-10213-2012 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, 3 AMP, POSITIV UND NEGATIV, NIEDRIGER DROPOUT, EINSTELLBAR
DLA SMD-5962-10213 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DOPPELTER SPANNUNGSREGLER, 3 AMP, POSITIV UND NEGATIV, NIEDRIGER DROPOUT, EINSTELLBAR
DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 MIKROKREIS-, HYBRID-, LINEAR-, DOPPELTER POSITIVER UND NEGATIVER 15-VOLT-, 12-VOLT- UND 5-VOLT-REGLER
DLA MS21351 REV G-2011 SCHALTER, KIPPSCHALTER, POSITIVBREMSE, SPEZIALSCHALTUNG, MINIATURKIPPSCHALTER, VERSIEGELT, LÖTKABEL, EINPOLIG, .469-MONTAGEBUCHSE
DLA SMD-5962-11231-2011 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, POSITIV, SCHALTEN, SPANNUNGSREGLER
DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 4-BIT-BIPOLAR-MIKROPROZESSOR-SCHEIBE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88598 REV A-1990 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLARER UHRGENERATOR/MIKROZYKLUS-LÄNGENREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-DWG-04052-2006 KONDENSATOR, FEST, MEHRFACH-ANODEN-POLYMER-TANTAL-CHIP
DLA MIL-M-38510/10 D VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar, TTL, Decoder aus monolithischem Silizium
DLA MIL-M-38510/13 G VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Zähler aus monolithischem Silizium
DLA SMD-5962-86727 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, BCD-ZÄHLER MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-13203-2013 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPANNUNGSREGLER ULTRA LOW DROPOUT, POSITIV, EINSTELLBAR
DLA SMD-5962-13203 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPANNUNGSREGLER ULTRA LOW DROPOUT, POSITIV, EINSTELLBAR
DLA MIL-M-38510/210 F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 16.384 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/03658 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, 2-EINGÄNGE POSITIV ODER GATE MIT TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 MIKROKREISE, DIGITAL, 32.768 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/161 A-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, COMMON ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87791 REV B-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, TTL-, Nand-Puffer aus monolithischem Silizium
DLA MIL-M-38510/503 B VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, programmierbare Logik, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/505 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digitale, bipolare programmierbare Logik, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-86715 REV C-2011 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86728 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, HOCHGESCHWINDIGKEITSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, GEPUFFERTE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 Mikroschaltkreise, digital, bipolar, TTL, NAND-Puffer aus monolithischem Silizium
DLA SMD-5962-87683 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR ALS TTL, DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88730 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, VIERFACH, POSITIV- ODER TREIBER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL JK POSITIVE EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99551 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, POSITIV, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85065 REV A-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBAR, LOGISCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, GEPUFFERTE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88515-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88604 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITALE, BIPOLARE, BIDIREKTIONALE TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88666-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, INTERRUPT-HANDLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88763-1990 MIKROSCHALTUNG, LINEARER SPANNUNGSREGLER MIT DOPPELPOLARITÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89549-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, PIPELINE-REGISTER MIT SCHATTENREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARER 256-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARER 64-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digitale, bipolare TTL, Schieberegister, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/150 D VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Größenkomparatoren, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-86725 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, OKTALPUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/22 D VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Hochgeschwindigkeits-TTL, Flip-Flops, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/80 F VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky TTL und Gates, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SPEICHER, 64-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER MIT DUALPOLARITÄTSVERFOLGUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88590 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-19500/199 D VALID NOTICE 1-2011 Halbleiterbauelement, Diode, Silizium, Vorwärtsspannungsregler, Typ 1N816, JAN
DLA SMD-5962-81035 REV E-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78017 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, MIKROPROGRAMM-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87769 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, DUAL-LINE-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87772-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, REGISTRIERTER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95567 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, GESCHLOSSENER HOCHGESCHWINDIGKEITSPUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98641 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 15 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98642 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98642 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREGLER, 5 VOLT, NEGATIV, FEST, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87671 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERLOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86714 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, QUAD-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Low Power, Zähler, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Low Power, Flip-Flops, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-87534 REV D-2011 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, QUAD-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSREFERENZDIODE, 1,2 VOLT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR, HF/ZF-VERSTÄRKER MIT AGC, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-DWG-13008-2013 KONDENSATOREN, FEST, MEHRFACHANODEN-TANTAL, CHIP, KONFORMAL BESCHICHTETES GEHÄUSE
DLA SMD-5962-90739 REV D-2000 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 5 V, POSITIV, FEST, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT, SPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88507 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FELDPROGRAMMIERBARER SEQUENCER (FPLS), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR HEX NTDS TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLARER HEX-NTDS-EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-81036 REV M-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 Mikroschaltkreise, Speicher, digital, bipolar, 512 x 4-Bit-Prom, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-87791 REV D-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL 256 X 4-BIT, BIPOLARES PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 1024 X 8-BIT BIPOLARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 2048 X 8-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84129 REV F-2009 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87791 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Nor Gates, Monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, DREI-ZUSTANDS-PRIORITÄTS-ENCODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, 8-BIT-GLEICHKOMPARATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/75 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, SCHOTTKY TTL, Exclusive oder Gates, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-86868 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, semikundenspezifische (Gate-Array-)Geräte, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/333 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Nor Gates, Monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87602 REV A-1988 Mikroschaltkreise, bipolar, 16-Bit-Fehlererkennungs- und Korrektureinheit, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-91667 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBAR, 1 A, POSITIVER SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 KONDENSATOREN, FEST, ELEKTROLYTISCH POLARISIERT, ALUMINIUMOXID, SCHNAPPMONTAGE, NIEDRIGES PROFIL
DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARE LOGIK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90513-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, PARITÄTSBUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, VIERFACH-SCHOTTKY-DIODEN-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90573-1991 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, BIPOLAR, ECL-PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITALER BIPOLARER DYNAMISCHER SPEICHERCONTROLLER AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-93226 REV H-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ZWEIKANAL, BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97548 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SYNCHRONER 4-BIT-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, NAND Gates, Monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Decoder, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER HOCHGESCHWINDIGKEITS-LOOK-AHEAD-TRAGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/12 J VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, monostabile Multivibratoren, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/81 D VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky TTL, Leitungstreiber, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/82 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky TTL, Größenkomparatoren, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/74 C VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, Schottky-TTL- und/oder-Invert-Gates, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/310 D VALID NOTICE 2-2012 Mikroschaltungen, digitale, bipolare Schottly-TTL mit geringem Stromverbrauch und monolithisches Gates-Silizium
DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, NAND Gates, Monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/337 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Decoder, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88550 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, KANTENGESTEUERT, D-TYP-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, OFFENE KOLLEKTOR-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY, TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 DIGITALE, BIPOLARE, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNGS-SCHOTTKY-, TTL-, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT MIKROSCHALTUNG, MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS- UND OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95527-1994 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 7-KANAL-COMMON-SOURCE-POWER-DMOS-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88550 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, KANTENGESTEUERT, D-TYP-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG LINEAR, BIPOLAR, HEX NTDS, SCHNELLER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, VIERFACH-EXKLUSIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, 2K x 8-Bit, REGISTRIERTER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87794 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, NOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Exclusive oder Gates, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-87711 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DUAL MONOSTABLE MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/151 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, TTL, Schmitt-Trigger-Nand-Gatter, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-76020 REV H-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR LOW POWER SCHOTTKY TTL, NAND GATES, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltung, digitaler, bipolarer 256-Bit-Random-Access-Memory (RAM) monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-86726 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, PARITÄTSPRÜFER/GENERATOR MIT 12 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/302 D VALID NOTICE 2-2012 Mikroschaltungen, digitale, bipolare Low-Power-Schottky-TTL, Puffer, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, Low-Power-Schottky-TTL, Zähler, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/345 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Exclusive oder Gates, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87767 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 MIKROSCHALTER, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, ULTRA-HOCHGESCHWINDIGKEIT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FELDPROGRAMMIERBAR, LOGIC ARRAY (FPLA), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, EXKLUSIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96756 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, ULTRA-HOCHGESCHWINDIGKEIT, STROM-FEEDBACK-VERSTÄRKER MIT OFFSET-EINSTELLUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, VIERFACHES POSITIVE-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, VIERFACHES POSITIVE-NOR-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, DREIFACH POSITIVES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, 16-WORT-MAL-4-BIT, 2-PORT, RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, ECL, PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88731 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-, TTL-, HEX-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95580 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DATENSELEKTOREN/MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Oktalpuffer, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR ADVANCED SCHOTTKY TTL, UND-ODER-INVERT-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86836 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Paritätsprüfer, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-87595 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/375 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Low Power-Schottky TTL oder Gates, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88752 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88707 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, PI-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00520 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Oktalpuffer, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/334 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, fortschrittliche Schottky-TTL- und/oder-Invert-Gates, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-00520 REV F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 8-KANAL-QUELLENTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/349 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar Advanced Schottky TTL, Paritätsprüfer, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, 2,5-V-Shunt-DIODEN-REGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-19500/205 B NOTICE 1-1999 HALBLEITERGERÄT, DIODE, GERMANIUM, NIEDRIGER LEVEL, VORWÄRTSSPANNUNGSREFERENZ TYP 1N3287 JAN, JANTX UND JANTXV
DLA SMD-5962-91671 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, EINSTELLBAR, ABWÄRTSSCHALTENDER SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92167 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 12 VOLT, AUFSTIEGSPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MS21141 REV J (1)-1998 VERBINDUNGSSTÜCK, BLIND, HOCHFEST, ZUGTYP, POSITIVE MECHANISCHE VERRIEGELUNG, ÜBERSTEHENDER KOPF, KORROSIONSBESTÄNDIGER STAHL, 95 KSI FSU
DLA MS21141 REV J-1998 VERBINDUNGSSTÜCK, BLIND, HOCHFEST, ZUGTYP, POSITIVE MECHANISCHE VERRIEGELUNG, ÜBERSTEHENDER KOPF, KORROSIONSBESTÄNDIGER STAHL, 95 KSI FSU
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEARE BI-FET-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-01507-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER HOCHGESCHWINDIGKEITS-LOOK-AHEAD-TRAGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, TRANSCEIVERS/REGISTERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88555 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL-VIERFACH, POSITIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, SYNCHRONER 4-BIT-AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, PI-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BUS-SCHNITTSTELLE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 4-BIT-MAGNITUDENKPARATOREN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, MONOSTABILER MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, POSITIVE NAND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91761 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, ZWEI-MODUL-TEILER, 200 MHz ?10/11, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88507 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, FELDPROGRAMMIERBARER SEQUENCER (FPLS), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 Mikroschaltungen, digital, 1024 Bit bipolarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher (P-ROM), monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, 8-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER MIT PARALLELLAST, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Low-Power-Schottky-TTL, Paritätsprüfer, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/338 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, Digital, Bipolar, Advanced Schottky TTL, Arithmetisch-Logische Einheiten, Monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, D-TYP-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86838 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, fortgeschritten, Schottky TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, fortschrittliche Schottky-TTL, Binärzähler, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Dekadenzähler, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-76037 REV G-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88709 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 2 EINGÄNGE NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86840 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88774 REV C-2011 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, DUAL-AND-ODER-INVERT-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89438 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 10-NICHT-INVERTIERENDES REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89558 REV B-2012 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, TRANSCEIVERS/REGISTERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86844 REV E-2013 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86865 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86866 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/329 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Low-Power-Schottky-TTL, Paritätsprüfer, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER SYNCHRONER VIER-BIT-BINÄR-AUF-AB-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/341 F VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, fortgeschritten, Schottky TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digitale, bipolare, fortschrittliche Schottky-TTL, Binärzähler, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/344 A VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Dekadenzähler, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, DOPPEL-D-TYP-FLIP-FLOPS MIT POSITIVER KANTENGESTÖRUNG, MIT LÖSCHEN UND ZURÜCKSETZEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-76014 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ADDER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-76016 REV J-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-76019 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR SCHOTTKY TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-76037 REV F-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 Mikroschaltkreis, digitaler Speicher, bipolarer 64-Bit-RAM, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-83022 REV J-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84154 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88710-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88752 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, DUAL-AND-ODER-INVERT-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTE SCHOTTKY-, TTL-, HEX-INVERTIERENDE TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DUAL-JK-FLIP-FLOPS MIT VOREINSTELLUNG UND KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-95581 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, 4-ZEILEN-BIS 16-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/320 D (1)-2008 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLARE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, KASKADIERBAR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/09610-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, DREIFACHER PUFFER/TREIBER MIT OFFENEN DRAIN-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Vierfach, 2 Eingänge oder Gates, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88522 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 2 EINGÄNGE UND TREIBER AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-87543 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, PARITÄTSPRÜFER/GENERATOR MIT NEUN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Low-Power-Schottky-TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, 8-Bit-Identitätskomparator, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/331 A VALID NOTICE 4-2012 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Low-Power-Schottky-TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89553 REV B-2012 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/320 D VALID NOTICE 1-2013 Mikroschaltungen, digitale, bipolare Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch. Zähler, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, kaskadierbare Latches, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, stromsparend, Schottky TTL, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/335 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Vierfach, 2 Eingänge oder Gates, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/301 F VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolarer Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Flip-Flops, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, 8-Bit-Identitätskomparator, monolithisches Silizium
DLA MS90310 REV J (1)-2012 SCHALTER, SCHALTER, SCHALTER, ZUSÄTZLICHE BREMSE, MINIATUR, SCHALTER, VERSIEGELT, LÖTKABEL, EINPOLIG, .469-MONTAGEBUCHSE
DLA MS90311 REV M (1)-2012 SCHALTER, KIPPSCHALTER, POSITIVBREMSE, MINIATURKIPPSCHALTER, VERSIEGELT, LÖTKAPPE, DOPPELPOLIG, .469-MONTAGEBUCHSE
DLA SMD-5962-91672 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 5 V, POSITIV, FEST, ABWÄRTSSPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91673 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 12 VOLT, POSITIV, FEST, ABWÄRTSSPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MS21434 REV C-2011 SCHALTER, SCHALTER, ZUSÄTZLICHE BREMSE, MINIATUR, SCHALTER, VERSIEGELT, DOPPELPOLIG, ANSCHLÜSSE FÜR LEITERPLATTEN, RECHTWINKIGE MONTAGE
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 10-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-77009 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, DEKADENZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78026 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, DEKADENZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84145 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL ODER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-00507 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL/DTL-KOMPATIBEL, PROGRAMMIERBARER TIMER/ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89573 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, 8-BIT-UNIVERSALREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89754 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, TRANSCEIVERS/REGISTERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88522 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 2 EINGÄNGE UND TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 512 X 4-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BIPOLAR QUAD NTDS FAST/ANEW EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88709-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 2 EINGÄNGE NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88722-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY, PUFFER/LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89438 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 10-NICHT-INVERTIERENDES REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89553 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89555 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY TTL, OKTAL REGISTRIERTE TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, QUAD 2-EINGANG POSITIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, DREIFACH, 3-EINGÄNGE, POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90937 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/204 F-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 2048-BIT, SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltung, digital, 8192-Bit-Schottky, bipolar, programmierbarer Nur-Lese-Speicher (Prom), monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 Mikroschaltung, digital, 16.384 Bit Schottky, bipolar, programmierbarer Festwertspeicher (PROM) aus monolithischem Silizium
DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 Mikroschaltungen, digital, 1024-Bit-Schottky, bipolar, programmierbarer Nur-Lese-Speicher (Prom), monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/209 G-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 8192-BIT, SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT OPEN-DRAIN-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95582 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DUAL 2-ZEILEN-BIS 4-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Schieberegister, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89555 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY, TTL, OKTAL REGISTRIERTE TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/502 A VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolares feldprogrammierbares Logikarray (FPLA) 16 x 48 x 8, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88556 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, ANALOGER MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, DOPPELPOLIG, VIER POSITIONIERUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BUS-SCHNITTSTELLE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Schieberegister, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

CNS 7218-1981 Siliziumstahlbleche für Polkern
CNS 13808-1997 Epitaktische Wafer für Leuchtdioden
CNS 13806-1997 Methode zur Messung der Emissionswellenlänge und Lichtintensität epitaktischer Wafer von Leuchtdioden

工业和信息化部, Positives Elektrodenstück

YS/T 1030-2017 Lithiumreiche Kathodenmaterialien auf Manganbasis
JB/T 14230-2022 Polstückbeschichtungsmaschine für Lithium-Ionen-Batterien
SJ/T 11794-2022 Testmethode für freies Lithium in Kathodenmaterialien von Lithium-Ionen-Batterien

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Positives Elektrodenstück

KS B 6314-1-2002 Ölgedichtete Rotationsvakuumpumpen mit positiver Verdrängung – Messung des Enddrucks
KS B 6314-1-2002(2017) Ölgedichtete Rotationsvakuumpumpen mit positiver Verdrängung – Messung des Enddrucks
KS B 6314-2-2002 Ölgedichtete Rotationsvakuumpumpen mit positiver Verdrängung – Messung der Volumenstromrate (Pumpgeschwindigkeit)
KS M 1077-2008 Bestimmung von Blei und Cadmium in der Anoden-N-Substanz für Lithiumzellen
KS F ISO 4356-2002(2012) Grundlagen für die Bemessung von Bauwerken – Verformungen von Gebäuden im Grenzzustand der Gebrauchstauglichkeit

Professional Standard - Electron, Positives Elektrodenstück

SJ/T 11470-2014 Epitaktische Wafer aus Leuchtdioden
SJ/T 11471-2014 Messmethoden für epitaktische Wafer von Leuchtdioden
SJ/T 11399-2009 Messmethoden für Chips von Leuchtdioden
SJ 2354.4-1983 Methode zur Messung des Durchlassspannungsabfalls von PIN- und Avalanche-Fotodioden
SJ 2214.2-1982 Methode zur Messung der Durchlassspannung von Halbleiterfotodioden
SJ/T 11396-2009 Die Saphirsubstrate für Leuchtdioden auf Nitridbasis
SJ/T 11398-2009 Technische Spezifikation für leistungsstarke Leuchtdiodenchips
SJ 2215.3-1982 Methode zur Messung des Durchlassstroms von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2215.2-1982 Methode zur Messung der Durchlassspannung von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 1673-1980 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Vorwärts-AGC-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3DG254
SJ 1672-1980 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Vorwärts-AGC-Hochfrequenz-Niederleistungstransistoren, Typ 3DG253
SJ/T 31210-1994 Anforderungen an die Einsatzbereitschaft sowie Prüf- und Beurteilungsmethoden für Kathodenscheibenschweißmaschinen
SJ/T 11869-2022 Detaillierte Spezifikationen für Siliziumsubstrat-Weißlichtleistungs-Leuchtdiodenchips
SJ/T 11868-2022 Detaillierte Spezifikationen für blaue Power-Leuchtdiodenchips mit Siliziumsubstrat
SJ/T 11818.2-2022 Halbleiter-UV-emittierende Dioden Teil 2: Chip-Spezifikationen
SJ/T 11867-2022 Detaillierte Spezifikationen für Siliziumsubstrat-Blaulicht-Leuchtdiodenchips mit geringem Stromverbrauch
SJ/T 2658.2-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarotdioden. Teil 2: Durchlassspannung
SJ 2658.2-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung des Vorwärtsspannungsabfalls
SJ/T 31321-1994 Anforderungen an die Einsatzbereitschaft sowie Inspektions- und Bewertungsmethoden für Polstück-Denkmaschinen und Kappenmontage-Nietmaschinen
SJ/T 31212-1994 Anforderungen an die Bereitschaft sowie Prüf- und Bewertungsmethoden für Kathodenhülsen- und Keramikchip-Nietmaschinen
SJ 2658.5-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Messmethoden für den Vorwärtsserienwiderstand

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

DB13/T 1513-2012 Ausrüstung zum Rollen von Batteriepolstücken

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Positives Elektrodenstück

GB/T 10093-2009 Entwurf probabilistischer Grenzzustände (Normal-Normal-Modus)
GB/T 30835-2014 Lithium-Eisenphosphat-Kohlenstoff-Verbundkathodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien
GB/T 36356-2018 Technische Spezifikation für leistungsstarke Leuchtdiodenchips
GB/T 36357-2018 Technische Spezifikation für Leuchtdiodenchips mittlerer Leistung
GB/T 43092-2023 Hochtemperatur-Leistungstestverfahren zur elektrochemischen Leistungsprüfung von Kathodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien

Professional Standard - Light Industry, Positives Elektrodenstück

QB/T 1971.1-1994 Anodenkappe der Trockenbatterie General Cooper Caps
QB/T 2459.1-1999 LR6/LR03 Alkali-Mangan-Zink-Zellen. Anodenstahlgehäuse
QB/T 2459.1-2011 Teile für alkalische Zink-Mangandioxid-Batterien. Teil 1: Pluspol-Stahldose
QB/T 2459.1-2022 Ersatzteile für alkalische Zink-Mangandioxid-Batterien Teil 1: positives Stahlgehäuse

中国轻工总会, Positives Elektrodenstück

QB 1971.1-1994 Trockenbatterie-Pluskappe, gewöhnliche Kupferkappe

RU-GOST R, Positives Elektrodenstück

GOST 21106.6-1977 Oszillator-, Modulator- und Regelröhren mit einer Anodenverlustleistung über 25 W. Messmethoden für Anoden- und Gitterströme mit positiver Spannung relativ zur Kathode und null Anoden- und Gitterströmen
GOST 19438.12-1975 Elektronische Röhren und Ventile mit geringem Stromverbrauch. Methoden zur Messung des Plattenstroms und der Ströme von Gittern mit positivem Potential
GOST 21803.3-1976 Vakuumgekapselte Prüfröhren. Verfahren zur Messung des Stroms eines Gitters mit positivem Potential gegenüber der Kathode
GOST 18986.9-1973 Halbleiterdioden. Verfahren zur Messung der Impulsgleichspannung und der Vorwärtserholungszeit
GOST 592-1981 Kettenräder für Laschenketten. Methoden zur Berechnung und Konstruktion des Zahnprofils. Toleranzen
GOST R 54107-2010 Vakuumausrüstung. Vakuumpumpen mit positiver Verdrängung. Messung von Leistungsmerkmalen. Teil 2. Messung des Enddrucks

CZ-CSN, Positives Elektrodenstück

CSN 35 8775-1987 Leuchtdioden. Geräuschmessung in Vorwärtsrichtung
CSN 35 8732-1964 Halbleiterdioden. Messung des Vorwärtsstroms
CSN 42 8302-1986 Warmgewalzte Bleche, Platten und Anoden aus Kupfer und Kupferlegierungen. Maße
CSN 35 8766-1976 Halbleitergeräte. Schaltdioden. Messung der Vorwärtsspannung.
CSN 35 8731-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden Messung der Gleichstrom-Durchlassspannung
CSN 42 1316-1986 Bleche, Platten, Anoden, Bänder, Streifen, Scheiben und Folien aus Kupfer und Kupferlegierungen. Technischer Liefercode
CSN 42 1332-1984 Nickel und Nickellegierungen. Bleche, Bänder und Anoden. Technische Lieferbedingungen
CSN 35 8757 Cast.6-1985 Messmethode für den statischen Wert des gemeinsamen Emitter-Vorwärtsübertragungsverhältnisses
CSN 42 1360-1984 Bänder, Streifen, Anoden und Folien aus Zinn und Zinnlegierungen. Technische Lieferbedingungen
CSN 35 8757 Cast.2-1985 Transistoren. Messmethode für das Durchlassstromübertragungsverhältnis von Kleinsignalen mit gemeinsamem Emitter und Kurzschlüssen

RO-ASRO, Positives Elektrodenstück

STAS 11200/5-1978 Grafische Symbole GRAFISCHES SYMBOL FÜR PLUS; POSITIVE POLARITÄT
STAS 11200/482-1982 GRAFISCHES SYMBOL FÜR DIE VERBINDUNG DES PLASMA-BRENNERS – AN DIE ELEKTRODE (NEGATIVE VERSORGUNG)
STAS 12191/2-1990 Stationäre Blei-Acod-Batterien mit rohrförmiger positiver Platte. Hauptmerkmale und Abmessungen
STAS 10479-1975 Hochtemperaturbeständige Aluminiumoxid-Industrieprodukte aus Silizium und Aluminium. Speziell für Positivöfen entwickelt. Qualität und technische Bedingungen

HU-MSZT, Positives Elektrodenstück

MSZ 7742/2-1970 Nichtmetallische anorganische Beschichtungen. Positiver Nachweis

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

DB35/T 1193-2011 Halbleiter-LED-Chip
DB35/T 1370-2013 Methode zur Punktprüfung von Leuchtdiodenchips

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Positives Elektrodenstück

YS/T 611-2023 Elektrodenpaste für Keramik mit positivem Temperaturkoeffizienten

United States Navy, Positives Elektrodenstück

NAVY MIL-P-17689 NOTICE 3-2003 Treibmittel, Doppelbodenplatte, Typ N-5
NAVY MIL-P-17689 VALID NOTICE 1-1975 Treibmittel, Doppelbodenplatte, Typ N-5
NAVY MIL-P-17689-1953 Treibmittel, Doppelbodenplatte, Typ N-5
NAVY GG-P-455 B NOTICE 4-2003 PLATTEN UND FOLIEN, FOTOGRAFISCH (LICHTEMPFINDLICHES ELOXIERTES ALUMINIUM) [Verwendung anstelle von: NAVY GG-P-00455 A (1)]
NAVY GG-P-455 B (3)-1995 PLATTEN UND FOLIEN, FOTOGRAFISCH (LICHTEMPFINDLICHES ELOXIERTES ALUMINIUM)
NAVY GG-P-455 B-1967 PLATTEN UND FOLIEN, FOTOGRAFISCH (LICHTEMPFINDLICHES ELOXIERTES ALUMINIUM)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Positives Elektrodenstück

GB/T 36613-2018 Sondentestverfahren für Leuchtdiodenchips

ECIA - Electronic Components Industry Association, Positives Elektrodenstück

535ABAE-1987 Feste Tantalkondensatoren mit nicht festem Elektrolyten und porösem Anodensilbergehäuse @ Axialleitung @ Elastomerdichtung @ Polarisiert @ Positives Nickel @ Negative Kupferleitungen @ Isoliert

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

DB44/T 1630-2015 3528/5050 gekapselte Chip-LED
DB44/T 1372-2014 Allgemeine technische Anforderungen an positive und negative Elektrodenmaterialien von Lithium-Ionen-Traktionsbatterien für Elektrofahrzeuge

German Institute for Standardization, Positives Elektrodenstück

DIN 42026-4:1982 Permanentmagnetsegmente; Grenzwerte sichtbarer Fehler
DIN 41618-1:1966 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm 1 mm; Maße
DIN 41622-1:1965-01 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 3 × 1 mm; Maße
DIN 41618-1:1966-10 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm × 1 mm; Maße
DIN 40737-3:2015-09 Blei-Säure-Batterien – Teil 3: Stationäre geschlossene Batterien mit positiven Rohrplatten
DIN EN 2549:2007-02 Luft- und Raumfahrt - Schrauben, normaler Sechskantkopf, normaler Schaft mit enger Toleranz, kurzes Gewinde, aus Titanlegierung, eloxiert, MoS<(Index)2> geschmiert, metrische Reihe - Klassifizierung: 1100 MPa (bei Umgebungstemperatur)/315 °C; Deutsche und englische Version...
DIN 40734:1999 Blei-Säure-Batterien - Stationäre belüftete Zellen mit positiven Gitterplatten - Zellen in Kunststoffbehältern; Nennkapazitäten, Hauptabmessungen, Gewichte
DIN 40734:1999-05 Blei-Säure-Batterien - Stationäre belüftete Zellen mit positiven Gitterplatten - Zellen in Kunststoffbehältern; Nennkapazitäten, Hauptabmessungen, Gewichte
DIN 40744:2015-09 Blei-Säure-Batterien – Stationäre ventilgeregelte Batterien mit positiven Rohrplatten und immobilisiertem Elektrolyt (Gel)
DIN 41618-3:1974-05 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm × 1 mm; Leasing- und Rastteile
DIN 40742:2015-09 Blei-Säure-Batterien – Stationäre ventilgeregelte Zellen mit positiven Rohrplatten und immobilisiertem Elektrolyten (Gel)
DIN 40744:2015 Blei-Säure-Batterien – Stationäre ventilgeregelte Batterien mit positiven Rohrplatten und immobilisiertem Elektrolyt (Gel)
DIN 40744 Berichtigung 1:2020-02 Blei-Säure-Batterien – Stationäre ventilgeregelte Batterien mit positiven Rohrplatten und immobilisiertem Elektrolyten (Gel); Berichtigung 1
DIN 40736-1:2015-09 Blei-Säure-Batterien - Teil 1: Stationäre belüftete Zellen mit positiven Rohrplatten in Kunststoffbehältern
DIN 40736-1:2015 Blei-Säure-Batterien - Teil 1: Stationäre belüftete Zellen mit positiven Rohrplatten in Kunststoffbehältern
DIN 40739:1999-07 Blei-Säure-Batterien – Stationäre, geschlossene Batterien mit positiven Gitterplatten – Nennkapazitäten, Hauptabmessungen, Gewichte

Standard Association of Australia （SAA）, Positives Elektrodenstück

AS 4029.3:1993/Amdt 1:1996 Festbatterie-Blei-Säure-Reinblei-Pastenplattentyp mit positiver Elektrode
AS/NZS 1664.1/AMD 1:1999 Aluminiumkonstruktionen Teil 1: Bemessung im Grenzzustand; Änderung 1

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Positives Elektrodenstück

EIA_ECA-956-2006 Aluminium-Elektrolyt-Chipkondensator mit Polmer-Kathode
EIA/ECA-956-2006 Aluminium-Elektrolyt-Chipkondensator mit Polmer-Kathode
EIA_ECA-953-2006 Geformter Tantal-Chip-Kondensator mit Polymerkathode
EIA/ECA-953-2006 Geformter Tantal-Chip-Kondensator mit Polymerkathode
EIA/ECA-955-2007 OBERFLÄCHENMONTIERTER ALUMINIUM-ELEKTROLYT-CHIP-KONDENSATOR MIT POLYMERKATHODE (QUALIFIKATIONSSPEZIFIKATION)
ECA EIA/ECA-955-2007 OBERFLÄCHENMONTIERTER ALUMINIUM-ELEKTROLYT-CHIP-KONDENSATOR MIT POLYMERKATHODE (QUALIFIKATIONSSPEZIFIKATION)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Positives Elektrodenstück

GB/T 33970-2017 Al2O3-dispersionsverstärktes Kupferblech für Widerstandsschweißelektroden

KR-KS, Positives Elektrodenstück

KS M 1077-2008(2023) Bestimmung von Blei und Cadmium in der aktiven Anodensubstanz für Lithiumzellen

Association Francaise de Normalisation, Positives Elektrodenstück

NF A81-304:1994 Umhüllte Elektroden für das manuelle Metalllichtbogenschweißen. Aufbringen eines Schweißmetallpads zur chemischen Analyse.
NF EN ISO 2128:2010 Anodisierung von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung der Dicke der anodischen Schichten – Zerstörungsfreie Methode mit einem optischen Schnittmikroskop

PL-PKN, Positives Elektrodenstück

PN E83006-03-1991 Blei-Säure-BatterienAbmessungen und Kapazitäten von Batterien mit geklebtem Pluspol
PN E83006-02-1991 Blei-Säure-Traktionsbatterien Abmessungen und Kapazitäten von Batterien mit rohrförmigen positiven Platten

International Organization for Standardization (ISO), Positives Elektrodenstück

ISO 22426:2020 Beurteilung der Wirksamkeit des kathodischen Schutzes anhand von Couponmessungen
ISO 4356:1977 Grundlagen für die Bemessung von Bauwerken; Verformungen von Bauwerken im Grenzzustand der Gebrauchstauglichkeit
ISO/TR 4553:2022 Verformungen und Verschiebungen von Gebäuden und Bauteilen im Grenzzustand der Gebrauchstauglichkeit
ISO 10062:2022/DAmd 1:2023 Korrosionstests in künstlicher Atmosphäre bei sehr geringen Konzentrationen umweltschädlicher Gase – Änderung 1: Fußnote mit Warnung

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Positives Elektrodenstück

QC 300202/US 0005-1985 Spezifikationen für den Einsatz in elektronischen Geräten: Detailspezifikation: Feste Tantalkondensatoren mit nichtfestem Elektrolyt und poröser Anode; Silbergehäuse@ Axialleitung@ Elastomerdichtung@ Polarisiert@ Nickel positiv@ Kupfer-Negativleitungen isoliert

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Positives Elektrodenstück

JIS Z 4334:2005 Referenzquellen für die Kalibrierung von Oberflächenkontaminationsmonitoren – Beta-Strahler (maximale Beta-Energie größer als 0,15 MeV) und Alpha-Strahler

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

DB37/T 2751-2016 Allgemeine technische Anforderungen für hochdruckverdichtete Nickel-Kobalt-Lithium-Manganoxid-Kathodenmaterialien
DB37/T 1944-2011 Allgemeine technische Spezifikationen für Lithium-Eisenphosphat-Kathodenmaterial (für Li-Ionen-Batterien)

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Positives Elektrodenstück

JEDEC JESD2-1982 Digitale bipolare Pinbelegung für Chipträger
JEDEC JESD51-50-2012 Überblick über Methoden zur thermischen Messung von Single- und Multi-Chip-, Single- und Multi-PN-Junction-Leuchtdioden (LEDs)

British Standards Institution (BSI), Positives Elektrodenstück

BS ISO 22426:2020 Beurteilung der Wirksamkeit des kathodischen Schutzes anhand von Couponmessungen
BS ISO 3560:2013 Straßenfahrzeuge. Testverfahren für frontale feste Barrieren oder Pfahlaufprall

American Welding Society (AWS), Positives Elektrodenstück

AWS A5.9/A5.9M-2006 Spezifikation für Schweißelektroden und -stäbe aus blankem Edelstahl, 7. Auflage; Enthält Erratum: 2007
AWS A5.1/A5.1M-2004 Spezifikation für Kohlenstoffstahlelektroden für das Metalllichtbogenschweißen mit Schutzgas enthält Errata: 9/2004
AWS A5.28/A5.28M-2005 Spezifikation für Elektroden und Stäbe aus niedriglegiertem Stahl für das Schutzgasschweißen, dritte Ausgabe; mit Errata: Februar 2007

NATO - North Atlantic Treaty Organization, Positives Elektrodenstück

STANAG 1196-1994 Naval Arctic Manual – ATP-17(B) (ED 3 AMD 1 Amendment 1@ 26.08.94)

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

DB52/T 928-2014 Festelektrolyt-Tantal-Festkondensator vom Typ CA45S mit fester Elektrode und Chip

Professional Standard - Aerospace, Positives Elektrodenstück

QJ 1159.7-1987 Doppelkopf-Blechlehrdorn mit glatter Grenzlehre (D> 80 ~ 250)
QJ 1160.6-1987 Glatte Grenzlehre mit Einkopf-Scheibenschnapplehre (D > 120~250)
QJ 1160.4-1987 Glatte Grenzlehre mit Einkopf-Scheibenschnapplehre (D>10~80)
QJ 1160.3-1987 Einkopf-Rechteckschnapplehre mit glatter Grenzlehre und Größe (D> 3~10)
QJ 1160.5-1987 Glatte Grenzlehre mit Einkopf-Scheibenschnapplehre (D > 80~120)

BE-NBN, Positives Elektrodenstück

NBN-EN 28092-1-1992 Transportmitteln. Schnelle Verbindung mit Schiebereglern. Teil 1: Schienen für unipolare Verbindungen (ISO 8092:1:1989)

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

JJG(电子) 04009-1987 BJ2983-Typ-Kristalltriode in Durchlassrichtung vorgespannter sekundärer Durchschlagstester, Versuchsverifizierungsvorschriften

Hunan Provincial Standard of the People's Republic of China, Positives Elektrodenstück

DB43/T 1591-2019 Grenzwert für den Energieverbrauch des Lithiumbatterie-Kathodenmaterials und Berechnungsmethode pro Produkteinheit

AT-ON, Positives Elektrodenstück

ONORM EN 28092-1-1992 Straßenfahrzeuge – Fiat, Schnellverbindungsanschlüsse – Laschen für einpolige Verbindungen
ONORM EN 28092-2-1992 Straßenfahrzeuge – Fiat, Schnellanschlüsse – Tests und Leistungsanforderungen für einpolige Anschlüsse

Professional Standard - Machinery, Positives Elektrodenstück

JB/T 5192.4-1991 Passende Abmessungen und Grenzabweichungen fotomechanischer Nietteile
JB/T 5192.3-1991 Passende Maße und Grenzabweichungen mechanischer Nietteile zum Nieten von Scheiben und Rädern

National Association of Corrosion Engineers (NACE), Positives Elektrodenstück

NACE RP0104-2004 Die Verwendung von Gutscheinen für Anwendungen zur Überwachung des kathodischen Schutzes, Artikel-Nr.: 21105

European Committee for Standardization (CEN), Positives Elektrodenstück

EN 28073:1991 Straßenfahrzeuge – Flache Schnellanschlüsse – Teil 1: Laschen für einpolige Verbindungen

SE-SIS, Positives Elektrodenstück

SIS SS 06 11 01-1990 Schweißelektroden – Drahtelektroden und Rohrdrähte zum Metall-Schutzgasschweißen und Metall-Lichtbogenschweißen von Kohlenstoffstahl, kohlenstoffmanganlegiertem Stahl, mikrolegiertem Stahl und niedriglegiertem Stahl – Schweißgutproben für die Prüfung aller Schweißmetalle

Society of Automotive Engineers (SAE), Positives Elektrodenstück

SAE AMS6438F-2006 Stahl, Blech, Band und Platte, 1,05 Cr – 0,55 Ni – 1,0 Mo – 0,12 V (0,45 – 0,50 °C), abschmelzbare Elektrode, vakuumgeschmolzen
SAE AMS6546E-1991 Stahlblech, -band und -platte 0,48Cr 8,0Ni 4,0Co 0,48Mo 0,09V (0,24-0,30C) Abschmelzbare Elektrode geschmolzen, geglüht
SAE AMS6439D-2011 Stahlblech, -streifen und -platten 1,05 Cr – 0,55 Ni – 1,0 Mo – 0,12 V (0,42 – 0,48 °C) (D6AC) Abschmelzbare Elektrode, vakuumgeschmolzen, geglüht (UNS K24728)

International Telecommunication Union (ITU), Positives Elektrodenstück

ITU-T R.81 FRENCH-1988 MAXIMAL ZULÄSSIGE GRENZE FÜR DIE DAUER DER UNTERBRECHUNG VON TELEGRAPHKANÄLEN, DIE DURCH DEN AUSFALL DER NORMALEN STROMVERSORGUNG ENTSTEHT
ITU-T R.81 SPANISH-1988 MAXIMAL ZULÄSSIGE GRENZE FÜR DIE DAUER DER UNTERBRECHUNG VON TELEGRAPHKANÄLEN, DIE DURCH DEN AUSFALL DER NORMALEN STROMVERSORGUNG ENTSTEHT

Danish Standards Foundation, Positives Elektrodenstück

DS/EN 28 092-1:1992 Straßenfahrzeuge – Flache Schnellanschlussanschlüsse – Teil 1: Flachstecker für einpolige Anschlüsse

YU-JUS, Positives Elektrodenstück

JUS N.R2.624-1980 Polare Tantahim-Elektrolytkondensatoren mit gesinterter Anode und Festelektrolyt ohne Schutzschicht – Tantahim-Chipkondensatoren (Typ 3A2), 6,3 bis 35 V DC Klimahärte 55/125/